温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型涉及一种InGaN/Si三结太阳能电池，自下至上包括Si底电池、InxGa1-xN第一电池和InyGa1-yN第二电池，Si底电池的p-Si层上面至第一电池之间依次有AlN成核层和GaN缓冲层，第一电池和第二电池之间有隧道结，其特...
该专利属于中国电子科技集团公司第十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十八研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。