【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于集成电容式触摸装置的接线及外围相关申请案的交叉参考本申请案主张2011年4月29日申请的标题为“用于集成电容式触摸装置的接线及外围(WIRING AND PERIPHERY FOR INTEGRATED CAPACITIVE TOUCH DEVICES) ”(代理人案号QUALP050P/101798P1)的第61/480,970号美国临时专利申请案及2011年11月4日申请的标题为“用于集成电容式触摸装置的接线及外围(WIRING AND PERIPHERYFOR INTEGRATED CAPACITIVE TOUCH DEVICES) ”(代理人案号 QUALP050/101798)的第13/290,001号美国专利申请案的优先权,所述案两者以引用方式且出于全部目的并入本文中。
本专利技术涉及显示装置,包含(但不限于)并入有触摸屏幕的显示装置。
技术介绍
机电系统(EMS)包含具有电元件及机械元件、致动器、转换器、传感器、光学组件(包含,镜子)及电子器件的装置。机电系统可以多种尺度制造,包含但不限于微米尺度及纳米尺度。例如,微机电系统(MEMS)装 ...
【技术保护点】
一种方法,其包括:在实质上透明衬底上沉积光学腔层以形成多个传感器电极;在所述光学腔层上及所述实质上透明衬底的暴露区域上沉积实质上透明电介质材料;形成穿过所述实质上透明电介质材料的通孔以暴露所述下伏光学腔层的部分;及在所述通孔中沉积导电材料以在所述下伏光学腔层的所述部分之间形成电连接。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.04.29 US 61/480,970;2011.11.04 US 13/290,0011.一种方法,其包括: 在实质上透明衬底上沉积光学腔层以形成多个传感器电极; 在所述光学腔层上及所述实质上透明衬底的暴露区域上沉积实质上透明电介质材料; 形成穿过所述实质上透明电介质材料的通孔以暴露所述下伏光学腔层的部分;及在所述通孔中沉积导电材料以在所述下伏光学腔层的所述部分之间形成电连接。2.根据权利要求1所述的方法,其中沉积所述光学腔层涉及沉积黑色掩模层。3.根据权利要求2所述的方法,其中所述黑色掩模层提供跨从350纳米到800纳米的波长范围的小于I %的适光积分反射率。4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法,其中沉积所述光学腔层涉及沉积部分反射及部分导电层、氧化物层及反射及导电层中的至少一者。5.根据权利要求4所述的方法,其中沉积所述氧化物层涉及沉积二氧化硅层或氧化铟锡层。6.根据权利要求4所述的方法,其中沉积所述部分反射及部分导电层涉及沉积钥铬MoCr合金层。7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法,其中所述传感器电极形成于感测区域中,且其中沉积所述光学腔层涉及形成围绕所述感测区域的至少一部分延伸的边界区域。`8.根据权利要求7所述的方法,其中沉积所述氧化物层涉及在所述边界区域中形成所述光学腔层以加强第一色彩及形成所述传感器电极的所述光学腔层以加强第二色彩。9.根据权利要求7所述的方法,其中沉积所述导电材料涉及在所述边界区域中形成布线导线及接地导线,所述方法进一步包含在所述边界区域中的所述接地导线与所述光学腔层的导电层之间形成电连接。10.根据权利要求7所述的方法,其进一步包含在所述边界区域中形成穿过所述光学腔层中的至少一者的通孔以产生装饰物。11.根据权利要求10所述的方法,其中所述装饰物为标志。12.根据权利要求7所述的方法,其中形成所述通孔涉及在所述边界区域中形成经配置以暴露所述光学腔层的导电层的通孔。13.根据权利要求12所述的方法,其进一步包含经由所述边界区域中的所述通孔将所述导电层连接到电接地导线。14.根据权利要求1到13中任一权利要求所述的方法,其中沉积所述光学腔层涉及形成将加强入射光的波长范围或色彩的光学腔。15.根据权利要求1到14中任一权利要求所述的方法,其中沉积所述导电材料涉及在边界区域中形成布线导线,所述布线导线经配置以将所述传感器电极与控制电路连接。16.根据权利要求1到15中任一权利要求所述的方法,其中沉积所述光学腔层涉及形成投射电容式触摸传感器电极。17.根据权利要求16所述的方法,其中沉积所述光学腔层涉及在连续列中形成第一投射电容式触摸传感器电极及在不连续行中形成第二投射电容式触摸传感器电极,且其中沉积所述导电材料涉及在所述不连续行之间形成电连接。18.根据权利要求16所述的方法,其中沉积所述光学腔层涉及在不连续列中形成第一投射电容式触摸传感器电极及在连续行中形成第二投射电容式触摸传感器电极,且其中沉积所述导电材料涉及在所述不连续列之间形成电连接。19.一种设备,其包括: 实质上透明衬底; 多个触摸传感器电极,其安置在所述实质上透明衬底上,所述触摸传感器电极包含光学腔层; 实质上透明电介质材料,其安置在所述光学腔层上; 通孔,其经形成穿过所述实质上透明电介质材料到达所述光学腔层的部分;及所述通孔中的导电材料,其用以在所述光学腔层的所述部分之间形成电连接。20.根据权利要求19所述的设备,其中所述光学腔层包含黑色掩模层。21.根据权利要求20所述的设备,...
【专利技术属性】
技术研发人员:约恩·比塔,拉西米·拉加温德拉·拉奥,李肯宾,
申请(专利权)人:高通MEMS科技公司,
类型:
国别省市:
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