包括保护装置的管状靶材制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括保护装置的管状靶材
本专利技术涉及一种用于阴极雾化的管状靶材，其不具有背衬管并且由钥或钥含量至少为50at.%的钥合金制成，所述管状靶材具有溅射表面以及至少在某些区域中与冷却介质接触的内表面。
技术介绍
由纯钥以及例如Mo-Na等钥合金制成的管状靶材，用于通过阴极雾化，例如磁控溅射来使含钥层沉积，包括在基于Cu(Inx，Ga1J (Sey, S1^2 (含Ga为CIGS，不含Ga为CIS)的薄膜太阳能电池或用于TFT-LCD的薄膜晶体管的生产过程中。在这种情况下，含钥层的厚度为数纳米至数微米。溅射所需的起始材料(阴极)称为溅射靶材，并且根据涂布系统的设计可以在平面几何形状或管状几何形状下使用。在操作过程中，管状溅射靶材(也称为管状靶材)，围绕着布置在靶材内部的静态或移动的磁系统而旋转。与平面溅射靶材相比，管状溅射靶材具有以下优点:实现材料的均匀移除以及因此更高的材料产量。尤其对于生产复杂的昂贵材料而言，管状溅射靶材已获得了认可。在陶瓷和易碎材料的情况下，管状靶材至少形成为两部分，从而使用于固持和移动管状靶材所需的力不会作用于该易碎材料以及因此易断的溅射材料上。在这种情况下，由溅射材料制成的管或多个管区段被接合到例如由非磁性钢或钛制成的背衬管上。在接合过程中，使用的是焊接工艺，此焊接工艺使用低熔点焊料，例如铟或铟合金。在溅射过程中引入的能量有75%以上作为热量引入溅射靶材中。通过高能离子撞击溅射靶材表面而产生的热能，需用充分有效的方式来驱散，从而防止溅射靶材和/或焊接材料过热。因此，溅射靶材的冷却具有决定性的意义。在管状靶材的情况下，溅射靶材的内...
【技术保护点】
一种用于阴极雾化的管状靶材（1），其不具有背衬管并且由钼或钼含量至少为50at.%的钼合金制成，所述管状靶材包括溅射表面（2）以及至少在某些区域中与冷却介质接触的内表面（3），特征在于，所述内表面（3）中至少一个区域通过至少一个保护装置（4）与所述冷却介质隔开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.04.08 AT GM203/20111.一种用于阴极雾化的管状靶材(1)，其不具有背衬管并且由钥或钥含量至少为50at.%的钥合金制成，所述管状靶材包括溅射表面(2)以及至少在某些区域中与冷却介质接触的内表面(3)，特征在于，所述内表面(3)中至少一个区域通过至少一个保护装置(4)与所述冷却介质隔开。2.根据权利要求1所述的管状靶材(1)，特征在于，所述保护装置(4)与所述内表面(3)处于区域性接触。3.根据权利要求1或2所述的管状靶材(1)，特征在于，所述保护装置(4)的厚度为0.0005mm 至 1mm。4.根据权利要求3所述的管状靶材(1)，特征在于，所述保护装置(4)的厚度为0.0005mm 至 0.1mm。5.根据权利要求1至4中一项所述的管状靶材(1)，特征在于，所述保护装置(4)是单层的或多层的层。6.根据权利要求1至5中一项所述的管状靶材(I)，特征在于，所述保护装置(4)是一个膜。7.根据权利要求1至6中一项所述的管状靶材(I)，特征在于，与所述冷却介质接触的全部所述内表面通过至少一个保护装置(4)与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯汀·林克，曼弗莱德·苏利克，马丁·卡特赖因，
申请(专利权)人：普兰西欧洲股份公司，
类型：
国别省市：
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