【技术实现步骤摘要】
一种最大电压选择电路、方法及子选择电路
本专利技术涉及电压选择技术,尤其涉及一种最大电压选择电路、方法及子选择电路。
技术介绍
集成电路中往往需要使用最大电压选择电路,最大电压选择电路的主要功能是从多个已有的电压中选择一个最大电压输出,供集成电路中的其他电路使用。图1为三路电压的最大电压选择电路,如图1所示,当第一输入电压VCC1、第二输入电压VCC2和第三输入电压VCC3之间的电压差值较大时,该最大电压选择电路能够选择最大的电压作为输出电压VMAX。但是,由于一般情况下第一输入电压VCC1、第二输入电压VCC2和第三输入电压VCC3均不为0,这样,以第一输入电压VCC1、或第二输入电压VCC2、或第三输入电压VCC3为栅极电压的P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)将导致输出电压VMAX的驱动能力不足;并且,当第一输入电压VCC1、第二输入电压VCC2和第三输入电压VCC3之间的电压差值较小或相等时,所述最大电压选择电路中的PMOS不能正常工作,不能产生输出电压VMAX。
技术实现思路
为解决现有技术存在的问题,本专利技术的主要目的在于提供一种最大电压选择电路 ...
【技术保护点】
一种子选择电路,其特征在于,该子选择电路包括:使能模式电路和去使能模式电路;其中,使能模式电路,配置为在工作模式信号为使能信号时工作,采用比较器结构,当自身输入电压大于参考电压时,设置自身的状态为输出使能状态,设置除自身外的子选择电路的状态为输出停止状态,并通过P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)将自身的输入电压作为最大电压输出;去使能模式电路,配置为在工作模式信号为去使能信号时工作,采用电力闩锁结构,当自身输入电压大于参考电压时,设置自身的状态为输出使能状态,设置除自身外的子选择电路的状态为输出停止状态,并通过PMOS将自身的输入电压作为最大电压输出。
【技术特征摘要】
1.一种子选择电路,其特征在于,该子选择电路包括:使能模式电路和去使能模式电路;其中,使能模式电路包括比较器,配置为在工作模式信号为使能信号时工作,当该使能模式电路输入电压大于参考电压时,设置该使能模式电路的状态为输出使能状态,设置其他子选择电路的状态为输出停止状态,并通过P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)将该使能模式电路的输入电压作为最大电压输出;去使能模式电路包括电力闩锁,配置为在工作模式信号为去使能信号时工作,当该去使能模式电路输入电压大于参考电压时,设置该去使能模式电路的状态为输出使能状态,设置其他子选择电路的状态为输出停止状态,并通过PMOS将该去使能模式电路的输入电压作为最大电压输出。2.根据权利要求1所述的子选择电路,其特征在于,所述工作模式信号为:在电路中有偏置电流时,以高电平为使能信号;在电路中没有偏置电流时,以低电平为去使能信号。3.根据权利要求2所述的子选择电路,其特征在于,该子选择电路为第一子选择电路时,包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一PMOS、第二PMOS、第三PMOS、第四PMOS、第五PMOS、第六PMOS、第七PMOS、第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)、第二NMOS、第三NMOS、第四NMOS、第五NMOS、第六NMOS、反相器;其中,并联的第一电阻和第二电阻的一端连接第一输入电压,另一端连接第一PMOS的源极,第一PMOS的栅极连接反馈电压,第一PMOS的漏极连接所述第一子选择电路的状态节点VO1并连接第三PMOS的漏极、第六PMOS的漏极、反相器的输入端、第一NMOS的漏极、第三NMOS的漏极、第五NMOS的漏极;第一NMOS的栅极连接与工作模式信号对应的控制信号和第四NMOS的栅极,第一NMOS的源极连接第二NMOS的漏极和第四NMOS的源极;第二NMOS的栅极连接工作模式信号,源极连接接地电压;第三NMOS的栅极连接接收第二子选择电路的状态的节点VO2,第三NMOS的源极连接第四NMOS的漏极、第五NMOS的源极和第六NMOS的漏极;第五NMOS的栅极连接接收第三子选择电路的状态的节点VO3;第六NMOS的源极通过第三电阻连接接地电压,第六NMOS的栅极连接工作模式信号的反信号;第二PMOS的源极连接第一输入电压,第二PMOS的栅极连接工作模式信号和第四PMOS的栅极,第二PMOS的漏极连接第三PMOS的源极;第三PMOS的栅极连接反馈电压;第四PMOS的源极连接第一输入电压,第四PMOS的漏极连接第五PMOS的源极;第五PMOS的栅极连接接收第三子选择电路的状态的节点VO3,第五PMOS的漏极连接第六PMOS的源极;第六PMOS的栅极连接接收第二子选择电路的状态的节点VO2;第七PMOS的源极连接第一输入电压,第七PMOS的栅极连接反相器的输出端,第七PMOS的漏极连接输出电压。4.根据权利要求3所述的子选择电路,其特征在于,所述第一子选择电路的工作模式信号为高电平时,由第一电阻、第二电阻、第一PMOS、第七PMOS、第一NMOS、第二NMOS、第三NMOS、第四NMOS、第五NMOS、反相器构成使能模式电路。5.根据权利要求4所述的子选择电路,其特征在于,所述第一电阻、第二电阻、第一PMOS、第一NMOS、第二NMOS、第三NMOS、第四NMOS构成比较器,当第一输入电压大于参考电压时,第一PMOS的漏极电流大于第一NMOS和第四NMOS的漏极电流的和,所述第一子选择电路的使能模式电路设置状态节点VO1为输出使能状态,并通过状态节点VO1使第二子选择电路的状态和第三子选择电路的状态为输出停止状态,所述第七PMOS导通,第七PMOS的漏极的输出电压为第一输入电压;所述参考电压为反馈电压、第一PMOS的栅极-源极电压、第一电阻上的电压之和。6.根据权利要求3所述的子选择电路,其特征在于,在工作模式信号为低电平时,由第三电阻、第二PMOS、第三PMOS、第四PMOS、第五PMOS、第六PMOS、第七PMOS、第三NMOS、第五NMOS、第六NMOS、反相器构成去使能模式电路。7.根据权利要求6所述的子选择电路,其特征在于,所述第三电阻、第二PMOS、第三PMOS、第四PMOS、第五PMOS、第六PMOS、第三NMOS、第五NMOS、第六NMOS构成电力闩锁,当第一输入电压大于参考电压时,第三PMOS导通,所述第一子选择电路的去使能模式电路设置状态节点VO1为输出使能状态,并通过状态节点VO1使第二子选择电路的状态和第三子选择电路的状态为输出停止状态,第四PMOS、第五PMOS和第六PMOS均导通,锁存状态节点VO1的输出使能状态,所述第七PMOS导通,第七PMOS的漏极的输出电压为第一输入电压;所述参考电压为反馈电压、第二PMOS的栅极-源极电压、第三PMOS的栅极-源极电压之和。8.根据权利要求3所述的子选择电路,其特征在于,所述第一子选择电路还包括第四电阻、第五电阻、第八PMOS和第九PMOS;其中,所述第八PMOS的源极连接第一输入电压,第八PMOS的栅极通过第四电阻连接第二输入电压,第八PMOS的漏极连接第九PMOS的源极;第九PMOS的栅极通过第五电阻连接第三输入电压,第九PMOS的漏极为保护电压输出节点。9.一种最大电压选择电路,其特征在于,该最大电压选择电路包括:外围信号电路和选择电路,所述选择电路接收N路输入电压,其中,所述外围信号电路向所述选择电路提供工作模式信号和参考电压;所述选择电路中有N个子选择电路,N路输入电压对应接入N个子选择电路,所述N个子选择电路中各子选择电路包括使能模式电路和去使能模式电路;对于N个子选择电路中的每一个子选择电路,该子选择电路根据工作模式信号确定自身的工作模式,在所述工作模式下,当该子选择电路输入电压大于参考电压时,设置该子选择电路的状态为输出使能状态,设置其他子选择电路的状态为输出停止状态,并通过PMOS将该子选择电路的输入电压作为最大电压输出;其中,所述使能模式电路包括比较器,配置为在工作模式信号为使能信号时工作,当该使能模式电路输入电压大于参考电压时,设置该使能模式电路的状态为输出使能状态,设置其他子选择电路的状态为输出停止状态,并通过PMOS将该使能模式电路的输入电压作为最大电压输出;所述去使能模式电路包括电力闩锁,配置为在工作模式信号为去使能信号时工作,当该去使能...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄雷,
申请(专利权)人:快捷半导体苏州有限公司,
类型:发明
国别省市:
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