外延光栅FP腔与微环谐振腔级联型光学生化传感芯片制造技术

技术编号:9556054 阅读:103 留言:0更新日期:2014-01-09 20:59
本实用新型专利技术的外延光栅FP腔与微环谐振腔级联型光学生化传感芯片,包括依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体,SOI基体的单晶硅层包含光学耦合连接的外延型光栅FP腔和微环谐振腔,外延型光栅FP腔的外延型光栅形成于SOI基体外侧,为外凸型齿状光栅。所述生化传感芯片的SOI基体的单晶硅层还包括狭缝光波导。由于在方案中引入狭缝光波导结构,而狭缝波导能够将光极大的限制在狭缝区域以增强光和物质之间的相互作用,其优势在于狭缝空间中的光能量密度远远大于倏逝场中光能量的密度,光与物质相互作用更强,检测灵敏度更高。并可以在达到相同传感性能的条件下,有利于实现光学生化传感器的微型化与片上传感系统。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术的外延光栅FP腔与微环谐振腔级联型光学生化传感芯片,包括依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体,SOI基体的单晶硅层包含光学耦合连接的外延型光栅FP腔和微环谐振腔,外延型光栅FP腔的外延型光栅形成于SOI基体外侧,为外凸型齿状光栅。所述生化传感芯片的SOI基体的单晶硅层还包括狭缝光波导。由于在方案中引入狭缝光波导结构,而狭缝波导能够将光极大的限制在狭缝区域以增强光和物质之间的相互作用,其优势在于狭缝空间中的光能量密度远远大于倏逝场中光能量的密度,光与物质相互作用更强,检测灵敏度更高。并可以在达到相同传感性能的条件下,有利于实现光学生化传感器的微型化与片上传感系统。【专利说明】外延光栅FP腔与微环谐振腔级联型光学生化传感芯片
本技术涉及对气体分子或者生物分子等特定的化学或生物物质的检测技术,具体涉及光传感
,特别涉及一种基于游标效应光学谐振腔生化传感芯片。
技术介绍
生化传感器是一种生物活性材料与相应换能器的结合体,它用于测定特定的化学或生物物质。由于测定这些化学或生物物质在环境监测、疾病监控以及药物研发中具有重要意义,所以对生化本文档来自技高网...

【技术保护点】
外延光栅FP腔与微环谐振腔级联型光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体,其特征在于,所述SOI基体的单晶硅层包含第一光学谐振腔和第二光学谐振腔,所述第一光学谐振腔与第二光学谐振腔具有不相同的自由光谱范围,二者光学耦合连接,所述第一光学谐振腔为外延型光栅FP腔,第二光学谐振腔为微环谐振腔,所述外延型光栅FP腔的外延型光栅形成于SOI基体外侧,为外凸型齿状光栅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王卓然袁国慧高亮
申请(专利权)人:成都谱视科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1