【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开一种液相外延衬底化学抛光系统。系统采用衬底真空吸附系统来避免粘蜡工序所引起的表面平整度差、易碎及繁琐的化学清洗问题。在真空吸附系统中的样品盘上刻一深度和工艺所需衬底厚度相同的槽，并设置警铃提醒，当衬底厚度达到预定目标时就会有警铃响起，提醒操作者取出衬底。本专利的优点在于：抛光系统可以精确控制衬底厚度，消除了衬底厚度对碲镉汞水平液相外延层质量的影响。【专利说明】一种液相外延衬底化学抛光系统
本专利涉及一种半导体晶体抛光设备，具体涉及一种液相外延衬底的化学抛光系统。
技术介绍
碲镉汞是一种非常重要的半导体材料，它的能带间隙可以通过调节镉元素组分而连续变化，从而覆盖整个红外波段，这一特性使其成为制造红外探测器的首选材料。目前该材料生长的方法一般有液相外延(LPE)、分子束外延(MBE)、金属有机化学气相外延(MOCVD)等。和后两种方法相比，液相外延生长方法具有设备简单，成本低，生长周期短等优点，因此该方法长期广泛地应用在碲镉汞薄膜材料的生长工艺中。在碲镉汞水平液相外延工艺中，为了生长出高质量的外延材料，常选用和碲镉汞晶格参数非常接近的碲锌...
【技术保护点】
一种液相外延衬底化学抛光系统，其特征在于：所述的化学抛光系统采用了衬底真空吸附系统和警铃提醒装置；所述的衬底真空吸附系统包括可调节真空度大小的机械泵（1）和通过真空橡胶管（2）连接的样品盘（4），所述的样品盘（4）的内部是一空心腔体，腔体的开口处与橡胶管（2）通过螺纹接口（3）相连，与腔体开口相反的一面是一凹槽，凹槽的底部布满了与腔体相通的小细孔，外延衬底通过真空作用吸附在样品盘（4）的这一面上；所述的警铃提醒装置由导线依次串联连接固定在抛光台（11）上的铜环（6）、直流电源（10）和报警器（8）、及固定在样品盘（4）上的铜片（7）所构成，当铜片（7）和铜环（6）相互接触时...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张娟，魏彦锋，孙权志，孙瑞赟，陈倩男，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：实用新型
国别省市：
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