光强分布的测量方法技术

一种光强分布的测量方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列悬空设置于一惰性环境或真空环境中，所述碳纳米管阵列具有相对的第一表面和第二表面；用待测光源照射所述碳纳米管阵列的第一表面，使该碳纳米管阵列辐射出光；利用成像元件对碳纳米管阵列所辐射的光成像，读出待测光源的光强分布。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列悬空设置于一惰性环境或真空环境中，所述碳纳米管阵列具有相对的第一表面和第二表面；用待测光源照射所述碳纳米管阵列的第一表面，使该碳纳米管阵列辐射出光；利用成像元件对碳纳米管阵列所辐射的光成像，读出待测光源的光强分布。【专利说明】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种利用碳纳米管阵列测量光强分布的方法。
技术介绍
光源所发出的光在哪个方向(角度)上传播以及强度大小统称为“光强分布”。基本分为两种:一种是把传感器放在距样品一定距离的地方，所述传感器在样品周围同心分布的若干点移动并进行测量，即可测量光强的分布；另一种是把测量装置放在距样品不同的距离处测量光强的分布，所述测量装置由一个CCD传感器和一个具有类似鱼眼镜头的超广角棱镜的光学系统组成。目前，测量光强分布的传感器主要分为两大类:光子传感器(制冷型)和热传感器(非制冷型)。光子传感器具有灵敏度高、响应速度快的优点，然而，光子传感器需要液氮制冷、成本较高、且可探测的光波波段较窄。热传感器成本较低、可探测的光波波段较宽、且可在室温下操作，但是，热传感器存在灵敏度较低、分辨率低的缺点。
技术实现思路
有鉴于此，确有必要提供一种，该测量方法具有较高的灵敏度和分辨率，且可测量的光波波段较宽。一种，包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列悬空设置于一,清性环境或真空环境中，所述碳纳米管阵列具有相对的第一表面和第二表面；用待测光源照射所述碳纳米管阵列的第一表面，使该碳纳米管阵列辐射出光；利用成像元件对碳纳米管阵列所辐射的光成像，读出待测光源的光强分布。与现有技术相比，本专利技术利用碳纳米管阵列作为光强分布的感测元件，由于碳纳米管是一种优异的热敏性和光敏性材料，且其对光(尤其是红外光)具有很宽的波长响应范围和很高的吸收率，因此，本专利技术提供的测量方法具有很高的灵敏度，且可测量的光波波长范围很广。其次，由于碳纳米管阵列的导热性能具有各向异性，即，热量几乎只沿着碳纳米管的轴向传导，不沿径向传导，因此，利用本专利技术提供的方法测量光强分布具有很高的分辨率。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术实施例提供的的流程图。图2为本专利技术实施例提供的的工艺流程图。图3为本专利技术实施例提供的中所采用的碳纳米管阵列的扫描电镜照片。主要元件符号说明【权利要求】1.一种，包括以下步骤: 提供一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列悬空设置于一惰性环境或真空环境中，所述碳纳米管阵列具有相对的第一表面和第二表面； 用待测光源照射所述碳纳米管阵列的第一表面，使该碳纳米管阵列辐射出光；以及 利用成像元件对碳纳米管阵列所辐射的光成像，读出待测光源的光强分布。2.如权利要求1所述的，其特征在于，所述碳纳米管阵列通过至少一支撑体悬空设置。3.如权利要求1所述的，其特征在于，所述碳纳米管阵列设置于一透光基底上。4.如权利要求1所述的，其特征在于，所述碳纳米管阵列包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管大致彼此平行，且从碳纳米管阵列的第一表面向第二表面延伸。5.如权利要求4所述的，其特征在于，所述多个碳纳米管具有相对的第一端和第二端，所述多个碳纳米管的第一端组成碳纳米管阵列的第一表面，所述多个碳纳米管的第二端组成碳纳米管阵列的第二表面。6.如权利要求4所述的，其特征在于，所述碳纳米管阵列中碳纳米管与所述第一表面之间的角度为大于等于10度且小于等于90度。7.如权利要求6所述的，其特征在于，所述碳纳米管阵列中碳纳米管与所述第一表面之间的角度大于等于60度且小于等于90度。8.如权利要求1所述的，其特征在于，所述碳纳米管阵列具有自支撑结构。9.如权利要求1所述的，其特征在于，将所述碳纳米管阵列设置于一腔室内，制作该腔室的材料为透光材料。10.如权利要求9所述的，其特征在于，所述腔室内填充氮气、氨气或惰性气体，或所述腔室内为真空状态。11.如权利要求1所述的，其特征在于，所述待测光源为二氧化碳激光器。12.如权利要求1所述的，其特征在于，所述待测光源沿着碳纳米管轴向的方向照射所述碳纳米管阵列的第一表面。13.如权利要求1所述的，其特征在于，所述成像元件间隔设置于碳纳米管阵列的第二表面，该间隔的距离为I毫米至100毫米。14.如权利要求1所述的，其特征在于，所述碳纳米管阵列辐射的光为可见光。15.如权利要求14所述的，其特征在于，所述成像元件为CCD，该CCD对碳纳米管阵列所辐射出的可见光成像。【文档编号】G01J1/58GK103487142SQ201210192064【公开日】2014年1月1日 申请日期:2012年6月12日 优先权日:2012年6月12日【专利技术者】姜开利, 朱钧, 冯辰, 范守善 申请人:清华大学, 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光强分布的测量方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列悬空设置于一惰性环境或真空环境中，所述碳纳米管阵列具有相对的第一表面和第二表面；用待测光源照射所述碳纳米管阵列的第一表面，使该碳纳米管阵列辐射出光；以及利用成像元件对碳纳米管阵列所辐射的光成像，读出待测光源的光强分布。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姜开利，朱钧，冯辰，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：