一种稳压电路制造技术

本发明专利技术公开了一种稳压电路，包括慢速回路和快速回路，所述慢速回路中PMOS管M1的源极连接PMOS管M3的漏极，栅极连接输出端OUT，漏极与PMOS管M2的漏极连接；所述PMOS管M2的源极连接快速回路中PMOS管M4的漏极，栅极连接参考电压REF；所述PMOS管M3的源极连接PMOS管MP1的漏极，栅极与PMOS管M4的栅极连接；所述PMOS管MP1的源极连接电源电源VDD，栅极与PMOS管M3的源极连接；所述PMOS管MP2的源极连接电源电源VDD，栅极与PMOS管MP1的栅极连接，漏极连接PMOS管M4的源极；所述PMOS管MP0的源极连接电源电压VDD，栅极与PMOS管MP2的漏极连接，漏极连接负载。这种稳压电路慢速回路保证负载和负载拷贝低频电压的稳定，对于高频电源噪声和高频输出电压的稳定，通过快速回路实现对高频信号的反应。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种稳压电路，包括慢速回路和快速回路，所述慢速回路中PMOS管M1的源极连接PMOS管M3的漏极，栅极连接输出端OUT，漏极与PMOS管M2的漏极连接；所述PMOS管M2的源极连接快速回路中PMOS管M4的漏极，栅极连接参考电压REF；所述PMOS管M3的源极连接PMOS管MP1的漏极，栅极与PMOS管M4的栅极连接；所述PMOS管MP1的源极连接电源电源VDD，栅极与PMOS管M3的源极连接；所述PMOS管MP2的源极连接电源电源VDD，栅极与PMOS管MP1的栅极连接，漏极连接PMOS管M4的源极；所述PMOS管MP0的源极连接电源电压VDD，栅极与PMOS管MP2的漏极连接，漏极连接负载。这种稳压电路慢速回路保证负载和负载拷贝低频电压的稳定，对于高频电源噪声和高频输出电压的稳定，通过快速回路实现对高频信号的反应。【专利说明】—种稳压电路
本专利技术涉及电路领域，尤其涉及一种稳压电路。
技术介绍
稳压电路，一般是指确保输出电压稳定的电路。当输出负载变化，如输出电流变高时，以及输入电压如电源电压发生变化时，仍能保持输出的电压稳定。稳压电路对电源的噪声启动抑制作用。已有的稳压电路一般采用米勒补偿，如附图1所示；CC是米勒电容，MPO是输出负载电流的管子，一般电流比较大，夸导比较大，有利于使用米勒补偿来降低主极点，增加系统稳定性；大的CC虽然有利系统稳定，但将把PG点上的电源噪声传递到负载上，使得高频电源噪声抑制比下降严重。另外一种两回路的拷贝补偿稳压电路如附图2所示，有一个负载拷贝，在一定比例上模拟负载，有个慢速回路，负载控制Pl和P2的栅极，保证负载和负载拷贝的低频电压的稳定。对于高频电源噪声，和高频输出电压的稳定，通过一个快速回路，实现对高频信号的反应。主要缺点是需要负载拷贝，浪费电流，而且对于压控振荡器等负载，负载拷贝无法精确实现。同时需要两个放大器Al和A2，面积大。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种能够调节输出电流，保持环路稳定的稳压电路。为了解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的:一种稳压电路，包括慢速回路和快速回路,所述慢速回路由PMOS管Ml、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PM0S管MPO和负载构成，所述快速回路由补偿电容MC、PM0S管M4、PM0S管MPO和负载构成；所述慢速回路中PMOS管Ml的源极连接PMOS管M3的漏极，栅极连接输出端0UT，漏极与PMOS管M2的漏极连接；所述PMOS管M2的源极连接快速回路中PMOS管M4的漏极，栅极连接参考电压REF ;所述PMOS管M3的源极连接PMOS管MPl的漏极，栅极与PMOS管M4的栅极连接；所述PMOS管MPl的源极连接电源电源VDD，栅极与PMOS管M3的源极连接；所述PMOS管MP2的源极连接电源电源VDD，栅极与PMOS管MPl的栅极连接，漏极连接PMOS管M4的源极；所述PMOS管MPO的源极连接电源电压VDD，栅极与PMOS管MP2的漏极连接，漏极连接负载，所述补偿电容MC并联在所述负载与PMOS管MPO的漏极之间。优选的，所述PMOS管M3的漏极和负载之间并联有一 PMOS管M5，其中PMOS管M5的源极连接PMOS管M3的漏极，PMOS管的漏极连接负载.优选的，所述补偿电容MC和负载上并联有一 PMOS管M6，其中PMOS管M6的源极连接补偿电容MC，漏极连接负载，栅极与所述PMOS管M5的栅极连接。与现有技术相比，本专利技术的有益之处是:这种稳压电路慢速回路保证负载和负载拷贝低频电压的稳定，对于高频电源噪声和高频输出电压的稳定，通过快速回路实现对高频信号的反应。【专利附图】【附图说明】: 下面结合附图对本专利技术进一步说明。图1是已有的米勒补偿稳压电路结构示意图； 图2是已有的两回路拷贝补偿稳压电路结构示意图； 图3是本专利技术一种稳压电路结构示意图。图中:1、慢速回路；2、快速回路；3、负载。【具体实施方式】: 下面结合附图及【具体实施方式】对本专利技术进行详细描述: 图3所示一种一种稳压电路，包括慢速回路I和快速回路2，所述慢速回路I由PMOS管MUPMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MPO和负载3构成，所述快速回路2由补偿电容MC、PMOS管M4、PMOS管MPO和负载3构成；所述慢速回路中PMOS管Ml的源极连接PMOS管M3的漏极，栅极连接输出端0UT，漏极与PMOS管M2的漏极连接；所述PMOS管M2的源极连接快速回路2中PMOS管M4的漏极，栅极连接参考电压REF ;所述PMOS管M3的源极连接PMOS管MPl的漏极，栅极与PMOS管M4的栅极连接；所述PMOS管MPl的源极连接电源电源VDD，栅极与PMOS管M3的源极连接；所述PMOS管MP2的源极连接电源电源VDD，栅极与PMOS管MPl的栅极连接，漏极连接PMOS管M4的源极；所述PMOS管MPO的源极连接电源电压VDD，栅极与PMOS管MP2的漏极连接，漏极连接负载3，所述补偿电容MC并联在所述负载3与PMOS管MPO的漏极之间；所述PMOS管M3的漏极和负载3之间并联有一 PMOS管M5，其中PMOS管M5的源极连接PMOS管M3的漏极，PMOS管5的漏极连接负载3;所述补偿电容MC和负载3上并联有一 PMOS管M6，其中PMOS管M6的源极连接补偿电容MC,漏极连接负载3，栅极与所述PMOS管M5的栅极连接。具体的，所述快速回路2由于使用补偿电容MC隔离直流，使快速回路2的开环增益有一个低频的零点，为了降低零点，可以增大补偿电容MC，或者增大PMOS管M4的夸导，增大PMOS管M4的夸导可通过增大PMOS管M4的电流实现，为了不影响输入，增加的PMOS管M4的电流可通过辅助PMOS管M6旁路掉，为了保持电路对称，PMOS管M5也旁路掉一部分PMOS管M3的电流，而补偿电容MC起到类似米勒电容的作用，用来保持环路的稳定性。这种稳压电路慢速回路I保证负载3和负载拷贝低频电压的稳定，对于高频电源噪声和高频输出电压的稳定，通过快速回路2实现对高频信号的反应。需要强调的是:以上仅是本专利技术的较佳实施例而已，并非对本专利技术作任何形式上的限制，凡是依据本专利技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本专利技术技术方案的范围内。【权利要求】1.一种稳压电路，包括慢速回路(I)和快速回路(2)，其特征在于:所述慢速回路(I)由PMOS 管(M1)、PM0S 管(M2)、PM0S 管(M3)、PM0S 管(MP1)、PM0S 管(MP2)、PM0S 管(MPO)和负载(3)构成，所述快速回路(2)由补偿电容(MC)、PM0S管(M4)、PM0S管(MPO)和负载(3)构成；所述慢速回路中PMOS管(Ml)的源极连接PMOS管(M3)的漏极，栅极连接输出端(0UT)，漏极与PMOS管(M2)的漏极连接管(M2)的源极连接快速回路(2)中PMOS管(M4)的漏极，栅极连接参考电压(REF);所述PMOS管(M3)的源极连接PMOS管(MPl)的漏极，栅极与PMOS管(M4)的栅极连接；所述PMOS管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种稳压电路，包括慢速回路（1）和快速回路（2），其特征在于：所述慢速回路（1）由PMOS管（M1）、PMOS管（M2）、PMOS管（M3）、PMOS管（MP1）、PMOS管（MP2）、PMOS管（MP0）和负载（3）构成，所述快速回路（2）由补偿电容（MC）、PMOS管（M4）、PMOS管（MP0）和负载（3）构成；所述慢速回路中PMOS管（M1）的源极连接PMOS管（M3）的漏极，栅极连接输出端（OUT），漏极与PMOS管（M2）的漏极连接；所述PMOS管（M2）的源极连接快速回路（2）中PMOS管（M4）的漏极，栅极连接参考电压（REF）；所述PMOS管（M3）的源极连接PMOS管（MP1）的漏极，栅极与PMOS管（M4）的栅极连接；所述PMOS管（MP1）的源极连接电源电源（VDD），栅极与PMOS管（M3）的源极连接；所述PMOS管（MP2）的源极连接电源电源（VDD），栅极与PMOS管（MP1）的栅极连接，漏极连接PMOS管（M4）的源极；所述PMOS管（MP0）的源极连接电源电压（VDD），栅极与PMOS管（MP2）的漏极连接，漏极连接负载（3），所述补偿电容（MC）并联在所述负载（3）与PMOS管（MP0）的漏极之间。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雄，
申请(专利权)人：苏州苏尔达信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：