【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种。该碳纳米管场发射阴极包括导电基板和依次层叠于所述导电基板上的石墨烯层和碳纳米管层。石墨烯的理论比表面积高达2600m2/g，其独特的二维结构能够进行有效的电热传输，具有比碳纳米管更加优异的热学和电学性能，在导电基板和碳纳米管层之间设置石墨烯层，充分发挥石墨烯比表面积巨大以及导电散热优异的特性，能够提高碳纳米管层的附着力，提高发射电流和稳定性。【专利说明】
本专利技术涉及场发射
，特别是涉及一种。
技术介绍
碳纳米管是一种新型碳纳米材料，其具有优异的导电率，由纳米级的尖端而产生的出色的电子发射能力以及稳定的机械化学特性等特点，是一种理想的场发射材料，表现为可即时开关，开启电场低，发射电流密度大，有望在场发射领域得到广泛应用。碳纳米管在场发射中的应用的关键在于制备出可连续稳定发射电子、发射电流较大的碳纳米管阴极。目前，常用的方法包括化学气相沉积(CVD)法、丝网印刷法以及电泳法。其中，电泳法工艺简单易控制，制备周期短，可以在任意形状和尺寸的衬底上大面积制备碳纳米管场发射阴极，实际应用前景广阔。它是将碳纳米管、分散剂、电...
【技术保护点】
一种碳纳米管场发射阴极，其特征在于，包括导电基板和依次层叠于所述导电基板上的石墨烯层和碳纳米管层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：洪序达，陈婷，陈垚，郑海荣，
申请(专利权)人：中国科学院深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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