显示装置制造方法及图纸

根据一个实施例，一种显示装置包括衬底、薄膜晶体管、钝化膜、氢阻挡膜、像素电极、有机发光层、相对电极和密封膜。在所述衬底的主表面上设置所述薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘膜、半导体膜、第一导电部分和第二导电部分。在所述薄膜晶体管上设置所述钝化膜。在所述钝化膜上设置所述氢阻挡膜。所述像素电极电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分之一。所述有机发光层设置在所述像素电极上。所述相对电极设置在所述有机发光层上。在所述氢阻挡膜和所述相对电极上设置所述密封膜。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种显示装置，包括：具有主表面的衬底，所述衬底是透光的；设置在所述主表面上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：设置在所述主表面上的栅电极；设置在所述栅电极上的栅极绝缘膜；设置在所述栅极绝缘膜上的半导体膜，所述半导体膜包括第一区域、与所述第一区域分开的第二区域以及设置在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域；电连接至所述第一区域的第一导电部分；和电连接至所述第二区域且被设置为与所述第一导电部分分隔开的第二导电部分；设置在所述薄膜晶体管上的钝化膜，所述钝化膜是绝缘的；设置在所述钝化膜上的氢阻挡膜，且该氢阻挡膜当被投影到与所述主表面平行的平面上时与所述半导体膜重叠；电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分之一的像素电极，所述像素电极是透光的；设置在所述像素电极上的有机发光层；设置在所述有机发光层上的相对电极；以及设置在所述氢阻挡膜和所述相对电极上的密封膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤信美，三浦健太郎，中野慎太郎，坂野龙则，上田知正，山口一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：