LED驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种LED驱动电路，在以全波整流波系驱动LED列时，通过插入LED列中的旁路电路，根据全波整流波形的电压来改变LED列的串联段数的LED驱动电路中，即使LED列的一部分短路也不会损坏旁路电路。在具有FET（122）和晶体管（123）的旁路电路（120）中，部分LED列（110）的两端间短路的情况下，从由电阻（125a）和（126b）构成的分压电路经过二极管（126a）向晶体管（123）的基极流入电流，使晶体管（123）为ON。由此，FET（122）的栅极电压下降，防止FET（122）的栅极被损坏。此时，二极管（126b）阻止应该流入基极的电流流向电流输入端子（128）侧。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种LED驱动电路，其特征在于，具有：?串联连接的第1部分LED列和第2部分LED列，所述第1部分LED列和第2部分LED列包含在作为光源的串联连接有多个LED的LED列中；和?旁路电路，所述旁路电路具有双极晶体管、场效应晶体管、分压电路、第1二极管、第2二极管、第1电流输入端子、第2电流输入端子和电流输出端子，所述第1电流输入端子与所述第1部分LED列和所述第2部分LED列的连接部连接，通过从所述第2电流输入端子流入的电流来限制从所述第1电流输入端子流入的电流，?所述双极晶体管通过集电极电压来控制所述场效应晶体管的栅极电压，?所述场效应晶体管通过栅极电压来调整漏极?源极间的电流，?所述分压电...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：渡边良一，秋山贵，后藤聪，
申请(专利权)人：西铁城控股株式会社，西铁城电子株式会社，
类型：实用新型
国别省市：