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智能退角限速点火器制造技术

技术编号:9367488 阅读:205 留言:0更新日期:2013-11-21 22:51
本实用新型专利技术公开了一种智能退角限速点火器,包括MCU控制芯片、驱动单元、执行单元、供电系统单元、电源处理单元、两个传感器单元和两个信号处理单元,MCU控制芯片及其外围电路形成退角限速电路,传感器单元对应采集发动机两个转速脉冲信号,信号处理单元对输出信号进行处理,并将处理后的信号传输到MCU控制芯片,MCU控制芯片判断接收信号的有效性,然后根据预定程序判断发动机转速是否超过预定速度,相应计算出一个退角相位,再根据这个退角相位改变输出的点火脉冲的周期,从而控制发动机转速在预定速度上。本实用新型专利技术能实现发电机高精度智能退角限速点火,对发动机转速进行限制,使发动机在运行过程中平稳,无发冲感,限速稳定可靠。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种智能退角限速点火器,包括MCU控制芯片(40)、驱动单元(50)、执行单元(80)、供电系统单元(70)和电源处理单元(60),所述MCU控制芯片(40)接受所述信号处理单元(30)的输出信号,并向所述驱动单元(50)输出点火的控制信号,所述驱动单元(50)直接驱动执行单元(80)进行点火,所述电源处理单元(60)对所述供电系统单元(70)进行管控,并将电源分配给所述MCU控制芯片(40)和所述驱动单元(50)实现供电,其特征在于:还包括两个传感器单元(20)和两个信号处理单元(30),所述MCU控制芯片(40)、所述驱动单元(50)、所述电源处理单元(60)和两个所述信号处理单元(30)构成退角限速控制系统(10),所述MCU控制芯片(40)及其外围电路形成退角限速电路,两个所述传感器单元(20)分别对应采集发动机的两个转速脉冲信号,两个所述信号处理单元(30)分别对两个所述传感器单元(20)的输出信号进行处理,并将处理后的信号传输到所述MCU控制芯片(40),所述MCU控制芯片(40)首先判断接收信号的有效性,然后根据预定程序判断发动机的转速是否超过预定速度,当所述MCU控制芯片(40)判断发动机的转速超过预定速度时,所述MCU控制芯片(40)相应计算出一个退角相位,然后根据这个退角相位改变所述MCU控制芯片(40)输出的点火脉冲的周期,从而控制发动机转速在预定的速度上。2.根据权利要求1所述的智能退角限速点火器,其特征在于:所述退角限速电路主要由所述MCU控制芯片(40)、第六电阻(R6)、晶闸管(Q2)、稳压二极管(D11)和输出线圈组成,其中所述MCU控制芯片(40)的引脚1、引脚2和引脚4分别连接三极管(Q1)的发射极,所述MCU控制芯片(40)的引脚5连接一个二极管D10的负极,所述MCU控制芯片(40)的引脚6连接第四电阻(R4)的一端,所述MCU控制芯片(40)的引脚7连接所述第六电阻(R6)的一端,所述第六电阻(R6)的另一端连接点火电路的所述晶闸管(Q2)控制端;所述退角限速电路还包括串联稳压电路,所述串联稳压电路包括晶体管(Q1)、第一电阻(R1)、第一电容(C1)、所述第四电阻(R4)、普通二极管(D8)和一个稳压管D9,所述晶体管(Q1)的集电极和所述第一电阻(R1)的一端连接,所述晶体管(Q1)的基极连接所述第一电阻(R1)的另一端,在所述晶体管(Q1)的集电极和所述MCU控制芯片(40)的引脚5之间还串联一个二极管D7,所述晶体管(Q1)的发射极除了连接所述MCU控制芯片(40)的引脚1、引脚2和引脚4之外,所述晶体管(Q1)的发射极还连接所述第四电阻(R4)和所述第一电容(C1)的一端,所述第一电容(C1)另一端接地,所述第四电阻(R4)另一端接所述普通二极管(D8)的正极,所述普通二极管(D8)的负极接所述稳压管D9的负极,所述稳压管D9的正极接地;所述退角限速电路还包括点火电路,所述点火电路由所述稳压二极管(D11)、所述第六电阻(R6)、所述晶闸管(Q2)、第七电阻(R7)、第三电容(C3)、一个续流二极管(D12)、一个第三线圈(L3)和一个第四线圈(L4)组成,所述第六电阻(R6)的一端除了连接所述MCU控制芯片(40)的引脚7之外,所述第六电阻(R6)的另一端还连接所述稳压二极管(D11)的负极和所述晶闸管(Q2)控制端,所述稳压二极管(D11)正极接地,所述晶闸管(Q2)正极连接整流二极管(D3)的负极,所述晶闸管(Q2)负极接地,所述第七电阻(R7)一端连接所述整流二极管(D3)的负极,所述第七电阻(R7)另一端接地,所述第三电容(C3)一端连接所述整流二极管(D3)的负极,所述第三电容(C3)另一端连接所述第三线圈(L3)和所述续流二极管(D12)的正极,所述第三线圈(L3)另一端和续流二极管(D12)负极接地,所述第四线圈(L4)一端输出,所述第四线圈(L4)另一端接地;所述MCU控制芯片(40)的引脚8接地,所述MCU控制芯片(40)的引脚3连接第三电阻(R3)的一端,所述第三电阻(R3)的另一端接地,所述MCU控制芯片(40)的引脚3还连接一个二极管D6的负极,所述二极管D6的正极接第二电阻(R2)和稳压管D5的负极,所述稳压管D5的正极接地,所述第二电阻(R2)另一端接第二线圈(L2),所述第二线圈(L2)另一端接稳流二极管(D4)的负极,所述稳流二极管(D4)的正极接地,还有一个二极管D2的正极接地,其负极经过所述第一电阻(R1)与所述晶体管(Q1)的集电极串联连接...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:严利民任春明郭丽媛龙云腾徐维清李晓焱
申请(专利权)人:上海大学
类型:实用新型
国别省市:

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