用于充电管理芯片外部高压NMOS管的驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种用于充电管理芯片外部高压NMOS管的驱动电路，主要解决现有高压NMOS管驱动电路无法保证高压NMOS管栅源电压差恒定芯片面积大电路复杂的问题。本发明专利技术包括电荷泵单元1，电压差采样单元2和电流控制振荡器3。该电荷泵单元1产生驱动信号给外部高压NMOS管；电压差采样单元2，采样该驱动信号与充电管理芯片输入电压之间的电压差，并将此电压差转换为电流信号与基准电流信号做差，得到电流控制信号输出给电流控制振荡器3；电流控制振荡器3，根据电流控制信号的大小不同，产生不同频率方波信号给电荷泵单元1，形成负反馈环路。本发明专利技术有效地保证了外部高压NMOS管栅源电压差恒定，简化了电路，节省了芯片面积，可用于充电管理芯片外部高压NMOS管。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于充电管理芯片外部高压NMOS管的驱动电路，包括电荷泵单元（1），用于产生高于充电管理芯片输入电压VIN的驱动信号VDRV；其特征在于：还包括电压差采样单元（2）和电流控制振荡器（3）；所述电压差采样单元（2），用于采样电荷泵单元（1）输出的驱动信号VDRV与充电管理芯片输入电压VIN之间的电压差，并将该电压差转换为电流信号与充电管理芯片内部产生的基准电流信号IREF做差，得到电流控制信号IOSC输出给电流控制震荡器（3）；所述电流控制振荡器（3），用于产生两个相位相反非重叠的方波信号CLK1和CLK2，并输出给电荷泵单元（1），形成负反馈环路，以保证驱动信号VDRV与充电管理芯片输入电压VIN之间的电压差恒定。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：来新泉，唐起源，李演明，邵丽丽，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：