一种低功耗高增益的下混频器制造技术

一种低功耗高增益的下混频器，设有电流源单元、输入跨导单元、开关单元以及负载单元，电流源单元的输出连接输入跨导单元，射频输入信号从输入跨导单元与电流源单元之间输入，输入跨导单元放大射频信号并通过两对交叉耦合增强信号，然后输出至开关单元，本振输入信号输入至开关单元，开关单元的输出连接负载单元，负载单元通过正反馈进一步增强输出信号，差分中频输出信号从负载单元与开关单元之间输出。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低功耗高增益的下混频器，其特征在于：设有电流源单元、输入跨导单元、开关单元以及负载单元，电流源单元的输出连接输入跨导单元，输入跨导单元放大射频信号并通过两对交叉耦合增强信号，然后输出至开关单元，开关单元的输出连接负载单元，负载单元通过正反馈进一步增强输出信号，差分中频输出信号从负载单元与开关单元之间输出，射频输入信号从输入跨导单元与电流源单元之间输入，本振输入信号输入至开关单元，其中：?电流源单元包括NMOS管M1和NMOS管M2，NMOS管M1和NMOS管M2的源极接地，栅极连接偏置电压Vb1；?输入跨导单元包括NMOS管M3、NMOS管M4、电容C1、电容C2、电阻R1和电阻R2，NMOS管M3和NMOS管M4的源极分别与电流源单元的NMOS管M1和NMOS管M2的漏极以及差分射频输入信号的正负两端连接，NMOS管M3的源极通过电容C2连接至NMOS管M4的栅极，NMOS管M4的源极通过电容C1连接至NMOS管M3的栅极，NMOS管M3的衬底连接至NMOS管M4的源极，NMOS管M4的衬底连接至NMOS管M3的源极，偏置电压Vb2通过串联电阻R1连接至NMOS管M3的栅极，偏置电压Vb2通过串联电阻R2连接至NMOS管M4的栅极；?开关单元包括NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、电阻R3电阻R4，MOS管M5和NMOS管M8的栅极互连并通过串联电阻R4连接电源电压Vdd，NMOS管M6和NMOS管M7的栅极互连并通过串联电阻R3连接电源电压Vdd，NMOS管M5和NMOS管M6的源极互连并连接输入跨导单元的NMOS管M3的漏极，NMOS管M7和NMOS管M8的源极互连并连接输入跨导单元的NMOS管M4的漏极，NMOS管M5的漏极与NMOS管M7的漏极互连，NMOS管M6的漏极与NMOS管M8的漏极互连，本振输入信号正端连接NMOS管M5和NMOS管M8的栅极，本振输入信号负端连接NMOS管M6和NMOS管M7的栅极；?负载单元包括PMOS管M9、PMOS管M10、电阻RL1和电阻RL2，PMOS管M9的漏极与开关单元的NMOS管M5和NMOS管M7的漏极连接并作为中频输出信号正输出端，PMOS管M10的漏极与开关单元的NMOS管M6和NMOS管M8的漏极连接并作为中频输出信号的负输出端，PMOS管M9的栅极连接PMOS管M10的漏极，PMOS管M10的栅极连接PMOS管M9的漏极，PMOS管M9的源极通过电阻RL1连接电源Vdd，PMOS管M10的源极通过电阻RL2连接电源Vdd。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李智群，吴晨健，陈亮，张萌，曹佳，王志功，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：