用以将装置插入半刚性同轴传输线中的最小化侵入极低插入损耗的技术制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用以将装置插入半刚性同轴传输线中的最小化侵入极低插入损耗的技术。一种信号调节设备可包括具有形成在其中的至少一个槽的同轴电缆。导电膜可施加到同轴电缆以便覆盖每个槽。装置安装表面可形成在槽内，且保护装置可安装在装置安装表面上。由一个或多个可联锁部分组成的壳体可联接到同轴电缆。

【技术实现步骤摘要】
用以将装置插入半刚性同轴传输线中的最小化侵入极低插入损耗的技术相关申请的交叉引用本申请主张2012年4月27日提交且名称为"AMINIMALINTRUSIONVERYLOWINSERTIONLOSSTECHNIQUETOINSERTADEVICETOASEMI-RIGIDCOAXIALTRANSMISSIONLINE"的申请号为61/639,822的美国临时专利申请的权益，该申请的内容在此通过引用整体并入到本文中。
技术介绍
在高频信号应用中，通常需要在将它们输送至另一个阶段之前调节信号。为了满足那些要求，滤波器、衰减器、隔直器和功率分配器通常用作可插入到信号传输路径中的独立装置。为了使固定装置的复杂性最小化，可经由两个连接器对被直接插入到信号传输路径中的这种元件的列式（inline）设计趋于为最流行的设计。然而，用于制造这种装置的高频发射部件很昂贵，且通常导致由于制造容差引起的回程损耗。然后，这些回程损耗是每个独立发射部件的特征且不能被在外补偿。由于用于支承指定装置的壳体和共面波导，这样的装置通常还相当大。因此，仍需要用于将一个或多个装置结合到半刚性高频传输电缆系统中的改进的方案。
技术实现思路
公开的技术大体上关于用于将装置或部件(例如，串行装置或并行装置)结合到半刚性高频传输电缆系统中的各种技术。与常规连接的独立装置相比，根据所公开技术的实施例普遍显著地比这种常规解决方案更经济且紧凑。另外，来自于通过根据所公开技术为元件插入改变电缆系统的对传输线特性阻抗的中断可被补偿至几乎可忽略的水平。附图说明图1示意了具有两个连接器(各端部处一个)的常规同轴传输线的示例。图2示意了插入到图1的传输线内的常规列式射频(RF)元件的示例。图3示意了根据所公开技术的某些实施例的装置安装表面，其是从半刚性电缆自身成形的。图4A示意了根据所公开技术的某些实施例的具有诸如图3中所示的装置安装表面的半刚性电缆的第一视图。图4B示意了由图4A所示的半刚性电缆的第二视图。图5示意了根据所公开技术的某些实施例的针对由图4A和4B所示的半刚性电缆的时域反射(TDR)响应的示例。图6A示意了根据所公开技术的某些实施例的具有静电放电(ESD)保护器的半刚性电缆的第一视图。图6B示意了由图8A所示的半刚性电缆的第二视图。图7示意了根据所公开技术的某些实施例的针对由图6A和图6B所示的半刚性电缆的TDR响应的示例。图8A示意了可附接到如由图6A和图6B所示电缆的半刚性电缆的壳体的第一部分的第一视图。图8B示意了由图8A所示的壳体的第一部分的第二视图。图8C示意了由图8A和图8B所示的壳体的第一部分的第三视图。图9示意了可与由图8A至图8C所示的壳体的第一部分联接的壳体的第二部分。图10为示出根据所公开技术的某些实施例的用于产生信号调节设备的方法的示例的流程图。具体实施方式所公开技术的实施例大体包括用于将特定装置或部件(如，串行装置或并行装置)结合到半刚性高频传输电缆系统中的技术。本专利技术的这些及其它特征和实施例将参照每个附图进行。图1示意了具有两个连接器102和104的常规同轴传输线100的示例，传输线100每个端部处一个连接器。如图2所示，在用于将静电放电(ESD)保护二极管120连接到同轴电缆100的中心导体的常规设计中，用户必须首先使同轴电缆100断开成两个较短的节段110和112，将附加的连接器对114A-114B和116A-116B置于新形成的端部处，然后插入列式元件118，其中，该列式元件118收纳保护二极管120。图2示明为了插入元件118，除额外的连接器对114A-114B和116A-116B之外，人们还将需要两个射频(RF)发射部件122和124，容置ESD二极管的共面波导环境(未示出)，以及用以支承波导、RF发射部件122和124和新的连接器114和116的总壳体。这些额外的连接器114A-114B和116A-116B、RF发射部件122和124、以及共面波导通常导致不连续性。由于生产容差控制而引起的各种阻抗失配使连接器系统为回程损耗地点。另外，由于生产控制中的偏差，这些失配不能被消除。基本上，所公开技术的实施例包括消除上文所述的额外元件。根据某些实施例，将要安装保护二极管的共面波导基底大体是从半刚性同轴电缆切出的很小的平表面。在这样的实施例中，基底与发射部件、发射部件与同轴电缆、以及同轴电缆与连接器之间的在常规设计中不可避免的阻抗失配现在可被消除。在装置插入之后，可随着随后的修整过程而对装置插入点处的阻抗失配的平衡进行补偿。图3示意了装置安装表面302，该表面302从根据所公开技术的某些实施例的半刚性同轴电缆300自身成形。在该示例中，通过将槽306切到半刚性同轴电缆300的中心导体308中至少大约一半来形成该"基底"。在其它实施例中，槽306可少于——或不止——一半，例如三分之一延伸到中心导体308中。在镍(Ni)阻挡层和厚的金(Au)镀层之后，例如，部件可在仅对半刚性同轴电缆300的环境有轻微中断的情况下直接键合到该"共面波导"。图4A和图4B示意了根据所公开技术的某些实施例的具有多个装置安装表面412和414(如，由图3所示的那个)的半刚性同轴电缆400的两个视图。在该示例中，装置安装表面412和414分别由已切入到半刚性同轴电缆400中的窄(例如，20毫米——30毫米)槽402和404的生成而产生。在其它实施例中，槽可具有在10毫米至60毫米的范围内的宽度。从半刚性同轴电缆400所形成的共面波导类“基底表面”可镀有合适的材料，例如，金，以便将保护装置安装在其上。该"共面波导"因此具有混合底半部分，该混合底半部分仍保持半刚性同轴电缆400的原始结构。图5示意了根据所公开技术的某些实施例的由图4A和4B所示的半刚性电缆400的时域反射(TDR)响应500的示例。在该示例中，TDR响应500表明槽402和404分别形成阻抗失配峰502和504。然而，通过使用电容补偿技术，如下文参照图6A和图6B所述的那个技术，来自于由槽402和404引起的不连续性的阻抗几乎可被完全地在外补偿，这由图7中的降低的失配峰702和704证实。图6A和图6B示意了根据所公开技术的某些实施例的具有静电放电(ESD)保护器的半刚性线同轴电缆600的两个视图。在该示例中，例如镍-金的合适的材料被施加到许多槽中的每一个，例如镀在许多槽中的每一个上，如图4A和4B中的槽402和404。然后，诸如ESD二极管或滤波器的保护装置可附接到其。在某些实施例中，如镍、铜或金的导电膜可施加在材料上，以便至少大体覆盖槽自身或基材料面向外的表面，如图6A和6B中的602和604所指出的那样。如上文所述，图7示意了用于由图6A和图6B所示的半刚性电缆的TDR响应的示例，其中如702和图704所分别指出的那样，图5的失配峰502和504已被显著降低。图8A至图8C示意了保护模块壳体的第一部分800的多个视图，该保护模块壳体可施加到如图6A和图6B所示的电缆600的半刚性电缆，例如，以提供更大的结构加强。在该示例中，该壳体的第一部分800包括两个腔体802和804。例如，腔体804的尺寸和形状可确定为至少大体覆盖被施加在诸如上文所述的那些的槽上的导电膜。在某些实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种信号调节设备，包括：同轴电缆，其包括形成于其中的至少一个槽，每个槽延伸至所述同轴电缆的导电芯；以及导电膜，其被施加到所述同轴电缆使得所述导电膜至少大体覆盖所述至少一个槽。

【技术特征摘要】
2012.04.27 US 61/639,822;2012.12.13 US 13/713,2201.一种信号调节设备，包括：同轴电缆，其包括形成于所述同轴电缆中的至少一个槽，每个槽延伸至所述同轴电缆的导电芯；以及导电膜，其被施加到所述同轴电缆使得所述导电膜至少大体覆盖所述至少一个槽；以及用以覆盖所述导电膜的保护壳体，其中所述壳体包括两个部分，所述两个部分构造成彼此联锁以便保持与所述同轴电缆固定地联接。2.根据权利要求1所述的信号调节设备，其特征在于，所述信号调节设备还包括施加在所述至少一个槽内以形成装置安装表面的材料。3.根据权利要求2所述的信号调节设备，其特征在于，所述材料包括镍-金。4.根据权利要求2所述的信号调节设备，其特征在于，所述材料借助于镀操作施加。5.根据权利要求1所述的信号调节设备，其特征在于，所述导电膜包括镍、金、或铜。6.根据权利要求2所述的信号调节设备，其特征在于，所述信号调节设备还包括安装到所述装置安装表面的保护装置。7.根据权利要求6所述的信号调节设备，其特征在于，所述保护装置包括静电放电二极管。8.根据权利要求1所述的信号调节设备，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：KWC杨，
申请(专利权)人：特克特朗尼克公司，
类型：发明
国别省市：