太阳能电池及其制造方法技术

太阳能电池及其制造方法。根据本发明专利技术的实施方式的太阳能电池包括：半导体基板；发射极层，其形成在所述半导体基板处，其中，所述发射极层包括具有第一电阻的第一部分以及具有比第一电阻更高的第二电阻的第二部分，其中，第一部分包括具有相同导电类型的第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且第二部分包括第二掺杂剂；钝化层，其形成在所述发射极层上，其中，所述钝化层包括第一掺杂剂；以及电极，其经过所述钝化层电连接到第一部分。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制造方法
本专利技术的实施方式涉及太阳能电池及其制造方法，更具体地，涉及具有选择性结构的掺杂层的太阳能电池及其制造方法。
技术介绍
近来，由于预见到诸如石油和煤这样的现有的能源会被耗尽，因此对于用另选的能源来代替石油和煤的关注度正在增大。具体地说，使用半导体元件将太阳能直接转换或变换为电能的太阳能电池正在受到关注。在太阳能电池中，通过形成至少一个掺杂层而形成p-n结以引起光电转换，并且形成电连接到n型掺杂层和/或p型掺杂层的电极。为了增强掺杂层的特性，提出了一种具有掺杂浓度不同的多个部分的选择性结构。但是，为了形成选择性结构的掺杂层，使用预定的掩模或者多次执行掺杂处理。也就是说，用于制造选择性结构的掺杂层的处理是复杂的，因此，生产率低。
技术实现思路
本专利技术的实施方式致力于一种具有增强的性能的太阳能电池以及通过简单的工艺制造该太阳能电池的方法。本专利技术的实施方式致力于一种在掺杂层和电极之间具有增强的对准特性的太阳能电池及其制造方法。根据本专利技术的实施方式的太阳能电池包括：半导体基板；发射极层，所述发射极层形成在所述半导体基板处，其中，所述发射极层包括具有第一电阻的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；发射极层，所述发射极层形成在所述半导体基板处，其中，所述发射极层包括具有第一电阻的第一部分以及具有比所述第一电阻更高的第二电阻的第二部分，其中，所述第一部分包括具有相同导电类型的第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且所述第二部分包括所述第二掺杂剂；钝化层，所述钝化层形成在所述发射极层上，其中，所述钝化层包括所述第一掺杂剂；以及电极，所述电极经过所述钝化层电连接到所述第一部分。

【技术特征摘要】
2012.04.17 KR 10-2012-0039832;2012.04.17 KR 10-201.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；发射极层，所述发射极层形成在所述半导体基板处，其中，所述发射极层包括具有第一电阻的第一部分以及具有比所述第一电阻更高的第二电阻的第二部分，其中，所述第一部分包括具有相同导电类型的第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且所述第二部分具有所述第二掺杂剂且所述第二部分不具有所述第一掺杂剂；钝化层，所述钝化层形成在所述发射极层上，其中，所述钝化层包括所述第一掺杂剂；以及电极，所述电极经过所述钝化层电连接到所述第一部分。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂彼此不同。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一掺杂剂包括铝，并且其中，所述钝化层包括氧化铝。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一掺杂剂包括铋，并且其中，所述钝化层包括氧化铋。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一部分具有5×1020到5×1021个原子/cm3的所述第一掺杂剂的表面浓度。6.一种用于制造太阳能电池的方法，该方法包括：制备半导体基板；在所述半导体基板的表面上形成包括第一掺杂剂的钝化层；通过局部加热所述钝化层的一部分来形成选择性发射极层，其中，所述钝化层的被加热的部分的所述第一掺杂剂通过所述局部加热被扩散到所述半导体基板的内部；以及形成电极，所述电极穿过包括所述第一掺杂剂的所述钝化层，并且电连接到所述选择性发射极层的第一部分，其中，在形成所述选择性发射极层的步骤中，对所述钝化层的与所述选择性发射极层的所述第一部分相对应的部分进行加热，在所述选择性发射极层的所述第一部分连接有所述电极。7.根据权利要求6所述的方法，其中，在形成所述选择性发射极层的步骤中，将激光照射到所述钝化层的与所述第一部分相对应的所述部分。8.根据权利要求6所述的方法，其中，在形成所述选择性发射极层的步骤中，所述钝化层的与所述第一部分相对应的所述部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦胤实，南熺真，朴相昱，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：