【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种方法，包括：在第一温度下在基体衬底顶上形成应力源层，所述第一温度下的所述应力源层在所述基体衬底中诱导第一拉伸应力，所述第一拉伸应力低于所述基体衬底的断裂韧度；使包括所述应力源层的所述基体衬底处于低于所述第一温度的第二温度，其中所述第二温度在所述基底衬底中诱导第二拉伸应力，所述第二拉伸应力大于所述第一拉伸应力并且足以允许在所述基体衬底内发生剥落式断裂；以及使所述基体衬底在所述第二温度下剥落而形成剥落的材料层，其中所述剥落在断裂深度处发生，所述断裂深度依赖于所述基体衬底的断裂韧度、所述基体衬底内的应力水平以及所述应力源层的在所述第二温度下诱导的所述第二拉伸应力。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M·M·卡亚特，N·E·索萨科提斯，S·W·比德尔，K·E·福格尔，D·K·萨达那，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，阿卜杜勒阿齐兹国王科技城，
类型：发明
国别省市：
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