磁共振系统的控制技术方案

本发明专利技术描述了一种用于控制磁共振系统（1）的方法，该磁共振系统具有多个高频发射通道(S1,…,SN)，经由这些高频发射通道在运行中并行发射HF脉冲串(b1,…,bN)，其中针对高频发射通道(S1,…,SN)的多个，预先给定共同的参考脉冲串(bR)，并且在HF脉冲优化方法（OV）中在考虑预先给定的目标磁化的条件下针对每个高频发射通道(S1,…,SN)确定发射比例因子(SF1,…,SFN)，以基于参考脉冲串(bR)计算针对发射通道(S1,…,SN)的HF脉冲串(b1,…,bN)。在此，在考虑取决于发射比例因子(SF1,…,SFN)的、部件引起的B1场最大值(max)的条件下优化发射比例因子(SF1,…,SFN)。此外还描述了对应工作的脉冲优化装置（18）以及具有这样的脉冲优化装置（18）的磁共振系统（1）。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于控制磁共振系统（1）的方法，该磁共振系统具有多个高频发射通道(S1,…,SN)，经由这些高频发射通道在运行中并行地发射HF脉冲串(b1,…,bN)，其中针对高频发射通道(S1,…,SN)的多个，预先给定共同的参考脉冲串(bR)，并且在HF脉冲优化方法（OV）中在考虑预先给定的目标磁化的条件下针对每个高频发射通道(S1,…,SN)确定发射比例因子(SF1,…,SFN)，以基于参考脉冲串(bR)计算针对发射通道(S1,…,SN)的HF脉冲串(b1,…,bN)，其中在考虑取决于发射比例因子(SF1,…,SFN)的、部件引起的B1场最大值(max)的条件下优化发射比例因子(SF1,…,SFN)。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：D里特，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：