保护二极管制造技术

本发明专利技术得到能够实现高输出的保护二极管。本发明专利技术的保护二极管，在P++型硅衬底（3）上横向排列地设有N型阱层（5）、P+型栅极侧扩散层（6）以及P型接地侧扩散层（7）。P+型栅极侧扩散层（6）与N型阱层（5）接合。P型接地侧扩散层（7）与P+型栅极侧扩散层（6）分离，与N型阱层（5）接合。栅极侧电极（9）连接在MOSFET（1）的栅极与P+型栅极侧扩散层（6）之间。接地电极（10）与P型接地侧扩散层（7）连接。P型接地侧扩散层（7）的杂质浓度比P+型栅极侧扩散层（6）更低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种保护二极管，其特征在于，具备：半导体衬底；第1导电型的阱层，设在所述半导体衬底上；第2导电型的栅极侧扩散层，设在所述半导体衬底上，与所述阱层接合；第2导电型的接地侧扩散层，设在所述半导体衬底上，与所述栅极侧扩散层分离，与所述阱层接合；栅极侧电极，连接在晶体管的栅极与所述栅极侧扩散层之间；以及接地电极，与所述接地侧扩散层连接，所述接地侧扩散层的杂质浓度比所述栅极侧扩散层更低。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：藤田光一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：