一种原位沉积阻挡层和籽晶层的系统和方法技术方案

本发明专利技术属于半导体技术领域，具体涉及一种原位沉积阻挡层和籽晶层的系统和方法。本发明专利技术提出的原位沉积系统包括沉积系统，进气、排气系统，管路控制系统，等离子体发生系统等。本发明专利技术所提出的采用原位沉积的铜互连流程包括：刻蚀出需要沉积的沟槽；转移到原位沉积腔后顺次通入五（二甲胺基）钽和含氮等离子体进行氮化钽扩散阻挡层的沉积；原位顺次通入二（六氟乙酰丙酮）化铜和二乙基锌进行铜籽晶层的沉积；取出硅片进行电化学沉积铜；化学机械抛光去除多余的铜。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种原位沉积阻挡层和籽晶层的系统，其特征在于包含：（1）至少一个沉积腔；（2）至少一套进气系统、排气系统；（3）至少一套等离子体发生系统；（4）至少一套气动阀管道控制系统；进气系统、排气系统分别与沉积腔连接，分别用以输入反应气体和排出反应后废气；等离子体发生系统接在进气系统上，用以产生含氮的等离子体反应气，降低反应温度；气动阀管道控制系统连接到进气、排气系统各路管道，用以实现管道开闭和气流量的自动化控制。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卢红亮，耿阳，杨雯，孙清清，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：