烧结多孔材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有较强耐腐蚀性的烧结多孔材料的制备方法，将由Ti粉和TiH2粉中的至少一种、Si粉以及C粉组成的混合粉料依次进行造粒、干燥、成型和烧结从而制备得到一种烧结多孔材料，上述原料按制备得到的烧结多孔材料中Ti为Ti、Si、C总重量的60～75%，Si为Ti、Si、C总重量10～20%的原则进行配比，且烧结制度分为五个阶段，其中第一阶段是将烧结温度从室温逐渐升至450℃，升温速率控制在1～25℃/min，该阶段的总烧结时间为30～600分钟；第二阶段是将烧结温度从450℃逐渐升至900℃，升温速率控制在1～20℃/min，该阶段的总烧结时间为180～1000分钟；第三阶段是将烧结温度从900℃逐渐升至1000℃，升温速率控制在1～20℃/min，该阶段的总烧结时间为30～1000分钟。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
烧结多孔材料的制备方法，其特征在于：将由Ti粉和TiH2粉中的至少一种、Si粉以及C粉组成的混合粉料依次进行造粒、干燥、成型和烧结从而制备得到一种烧结多孔材料，上述原料按制备得到的烧结多孔材料中Ti为Ti、Si、C总重量的60～75%，Si为Ti、Si、C总重量10～20%的原则进行配比，且将烧结制度分为五个阶段，其中第一阶段是将烧结温度从室温逐渐升至450℃，升温速率控制在1～25℃/min，该阶段的总烧结时间为30～600分钟；第二阶段是将烧结温度从450℃逐渐升至900℃，升温速率控制在1～20℃/min，该阶段的总烧结时间为180～1000分钟；第三阶段是将烧结温度从900℃逐渐升至1000℃，升温速率控制在1～20℃/min，该阶段的总烧结时间为30～1000分钟；第四阶段是将烧结温度从1000℃逐渐升至1200℃，升温速率控制在1～20℃/min，该阶段的总烧结时间为30～600分钟；第五阶段是将烧结温度从1200℃逐渐升至1450℃，升温速率控制在1～20℃/min，该阶段的总烧结时间为60～600分钟，且在第五阶段中，应在1300～1400℃的温度区间内保温2～3小时；烧结后随炉冷却即得到烧结多孔材料。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高麟，贺跃辉，汪涛，江垚，李波，
申请(专利权)人：成都易态科技有限公司，
类型：发明
国别省市：