一种基于双电容结构的脉冲形成网络制造技术

本实用新型专利技术为一种基于双电容结构的脉冲形成网络，属于脉冲功率技术领域，主要用于高电压脉冲方波的产生，该脉冲形成网络基本电路包括两个电容C1、C2，两个电容的自感LC1、LC2和四个连线电感L11、L12、L21、L22，两个电容器为非均匀电容，电容C2的电容值大于电容C1的电容值；本实用新型专利技术中的脉冲形成网络采用高压脉冲电容器作为储能单元，其具有储能密度大的优势，而采用双电容脉冲形成系统，减少了脉冲形成网络的级数，克服了单电容系统无法形成脉冲方波的缺点，可实现快前沿、准脉冲方波输出。该脉冲形成网络结构紧凑、体积小、耐压高、储能密度大、可靠性高，可应用于百纳秒级的脉冲功率系统。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于双电容结构的脉冲形成网络，其特征为包括箱体（1）和工型箱体盖（9），箱体（1）内设置有第一电容（2）、第二电容（3），所述第一电容（2）的一端通过第一连接片（4）和第二连接片（5）与第二电容（3）连接，第一电容（2）的另一端通过第三连接片（6）和第四连接片（7）分别与工型箱体盖（9）上的电极连接在一起。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋法伦，秦风，甘延青，龚海涛，张勇，金晓，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院应用电子学研究所，
类型：实用新型
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