一种差分射频放大器制造技术

一种差分射频放大器，包括共栅器件栅极静态偏置电路和电荷泵电路，由四个N沟道的金属氧化物半导体管、两个隔直电容、两个二极管、输出变压器、偏置电阻和负载电阻组成。本实用新型专利技术由放大器电路本身根据输出信号的幅度，动态地改变共栅器件的栅极电压，使得放大器电路只在输出信号幅度较大的时候，提高共栅器件的栅极电压，以达到提高最大输出功率和效率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种差分射频放大器，其特征在于，由第一N沟道的金属氧化物半导体管（M1）、第二N沟道的金属氧化物半导体管（M2）、第三N沟道的金属氧化物半导体管（M3）、第四N沟道的金属氧化物半导体管（M4），第一隔直电容（C1）、第二隔直电容（C2）、第一二极管（D1）、第二二极管（D2）、输出变压器（L1）、偏置电阻（R1）和负载电阻（R2）组成，上述元部件的连接关系如下：第一N沟道的金属氧化物半导体管（M1）和第二N沟道的金属氧化物半导体管（M2）的栅极为差分输入端，第一N沟道的金属氧化物半导体管（M1）和第二N沟道的金属氧化物半导体管（M2）的源极连在一起并接地；第三N沟道的金属氧化物半导体管（M3）和第四N沟道的金属氧化物半导体管（M4）为叠管，它们的源级与第一N沟道的金属氧化物半导体管（M1）和第二N沟道的金属氧化物半导体管（M2）的漏级分别连接，组成差分共源共栅结构；第三N沟道的金属氧化物半导体管（M3）和第四N沟道的金属氧化物半导体管（M4）的栅极连接在一起，并和偏置电阻（R1）相连，该偏置电阻（R1）的另一端接偏置电压；所述的输出变压器（L1）的原边与所述的第三N沟道的金属氧化物半导体管（M3）和第四N沟道的金属氧化物半导体管（M4）的漏级相连，所述的输出变压器（L1）的副边接所述的负载电阻（R2），所述的第一隔直电容（C1）和第一二极管（D1）的正极相联，第一隔直电容（C1）的另一端和第三N沟道的金属氧化物半导体管（M3）的漏极相连，第一二极管（D1）的负极和第三N沟道的金属氧化物半导体管（M3）的栅极相连接；所述的第二隔直电容（C2）和第二二极管（D2）正极相联，第二隔直电容（C2）的另一端和第四N沟道的金属氧化物半导体管（M4）的漏极相连，第二二极管（D2）的负极和第四N沟道的金属氧化物半导体管（M4）的栅极相连接，所述的第一隔直电容（C1）、第二隔直电容（C2）、第一二极管（D1）和第二二极管（D2）共同组成电荷泵电路。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯卫锋，章国豪，李义梅，
申请(专利权)人：豪芯微电子科技上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：