【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种电子器件的真空镀膜工艺,包含以下步骤:(1)将清洁的基体放入真空容器中、抽真空到10?4Pa、通入高纯氩气至0.5Pa;(2)线形离子源照射,离子源电压1500V,偏压600V,时间5分钟;(3)直流溅射纯铝:直流溅射电压400V,电流15A,偏压600V,时间2分钟;(4)线形离子源照射,离子源电压750V,偏压600V,时间2分钟;(5)直流溅射铝铜合金:电压400V,电流18A,时间3分钟;(6)直流溅射纯铜:电压400V,电流25A,时间24分钟;(7)直流溅射纯银:电压350V,电流20A,时间8分钟;(8)直流溅射铜钼合金:电压300V,电流10A,时间1分钟。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:狄国庆,邓波,
申请(专利权)人:苏州奕光薄膜科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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