一种简化的电容式触摸屏制作方法技术

本发明专利技术公开一种简化的电容式触摸屏制作方法，包括：图案电极制作工序，在双面导电层的玻璃基板上分别制作第一透明导电层和第二透明导电层，然后对第一透明导电层和第二导电膜分别进行涂胶、曝光、显影、坚膜，然后同时进行蚀刻和去膜实现玻璃基板的第一导电层和第二导电层的图形化，形成第一组感测电极和第二组感测电极，并且同时形成引线电极。本发明专利技术可以大大简化工艺，减少投资和成本，同时也提高了产品良率和生产效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种简化的电容式触摸屏制作方法，其特征在于，包括有以下步骤：（1）首玻璃基板进行清洗，去除玻璃基板表面的尘粒、污迹和指纹等；（2）利用真空磁控溅射的方式在玻璃基板两面分别制作第一面ITO薄膜层和第二面ITO薄膜层，形成双面ITO玻璃；具体工艺参数：镀膜真空度：0.01~0.5Pa，温度：220~300℃，ITO薄膜层的厚度10nm~20nm；（3）对第一面ITO薄膜层进行涂胶、曝光、显影、坚膜工艺；然后对第二面ITO薄膜层进行涂胶、曝光、显影、坚膜工艺；具体工艺参数：涂布光刻胶，将ITO薄膜层覆盖，光刻胶的厚度1600~2000nm，均匀性5%以内，预烘温度：80~90℃；对光刻胶进行曝光，即在光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为：紫外光波长：365nm，光通量：100~120mj，ITO电极图案的光罩是铬版，距离基板的尺寸100um~200um；对光刻胶显影并硬化，采用NaOH，浓度0.1~0.08MOL/L，温度：20~35℃，时间50秒~120秒，硬化温度：100~120℃，时间30~35分钟；（4）同时对ITO玻璃的两面进行蚀刻和去膜，采用ITO线路作为ITO电极的引线，形成触摸屏；具体工艺参数：蚀刻ITO薄膜层，形成ITO薄膜层电极图形，蚀刻使用材料：HCL60%~65%+HO2?40%~35%，温度：40~45℃，时间：120~220秒；在制作ITO图案电极的同时形成ITO引线，作为第一面ITO电极连接FPC的第一组外接导线和第二面ITO电极连接FPC的第二组外接导线；去除光刻胶，形成ITO电极，使用材料：NaOH，浓度2.0~1.5MOL/L，温度：30~35℃，时间100秒~120秒，最后用纯水漂洗。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邹富伟，周朝平，
申请(专利权)人：晟光科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：