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双全桥注入锁相功率合成黑光灯组制造技术

技术编号:9131624 阅读:146 留言:0更新日期:2013-09-06 00:57
本实用新型专利技术涉及电光源技术领域,具体是一种双全桥注入锁相功率合成黑光灯组。两个RC振荡器共接电阻R11、电容C14同步振荡,自振荡芯片4及全桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片6及全桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器,功率合成匹配黑光灯管组,基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片4、6的RC振荡器锁定相位,获取大功率照明避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降,灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片振荡器SD端,控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率管。适用于农田、果园诱杀害虫。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双全桥注入锁相功率合成黑光灯组,包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、黑光灯管组,其特征在于:还包括功率因数校正APFC、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、全桥逆变器A、全桥逆变器B、相加耦合器、灯管异常电流检测器,其中,基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成,第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻,并分别并接接地电容,同时,还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器,基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器,自振荡芯片内含振荡器、全桥逆变驱动电路,两个自振荡芯片振荡器共接电阻R11、电容C14同步振荡,输出分别经全桥逆变驱动电路连接均由四个功率MOS场效应管两组互补半桥合成的全桥逆变器A、全桥逆变器B,自振荡芯片及全桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片及全桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器功率合成匹配黑光灯管组,基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片EXO端锁定相位,灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片SD端,控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率MOS场效应管,电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆至功率因数校正APFC接入基准晶振、分频器、自振荡芯片及全桥逆变器A和自振荡芯片及全桥逆变器B的电源端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:阮树成梅玉刚
申请(专利权)人:梅玉刚
类型:实用新型
国别省市:

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