一种输出压差低的稳压器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种输出压差低的稳压器，包括熔断器、开关、整流电路、电感、可控硅、单结晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、二极管、电容和电位器，当市电电压升高，加在单结晶体管上的电压相应升高，震荡加快，可控硅导通角减小，可控硅上的电压升高，使电感上电压不变；反之可控硅上的电压降低时电感上的电压仍不变，于是经电感耦合后的电压也就保持稳定。本实用新型专利技术为全自动无触点式稳压器，具有低功耗、低压差的稳压器，适用于各类低压电子产品，尤其是结构简单、采用元件少、成本低、体积小，可缩小产品体积，减轻产品重量，有利于推广。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种输出压差低的稳压器，其特征在于：包括熔断器、开关、整流电路、电感、可控硅、单结晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、二极管、电容和电位器，所述熔断器的第一端与火线输入端连接，所述熔断器的第二端同时与所述电感的抽头和所述二极管的正极连接，所述电感的第一端为火线输出端，所述电感的第二端与整流电路的第一输入端连接，所述整流电路的第二输入端与所述开关的第一端连接，且所述整流电路的第二输入端为零线输出端，所述开关的第二端与零线输入端连接，所述整流电路的正极输出端同时与所述可控硅的正极和所述第二电阻的第一端连接，所述整流电路的负极输出端同时与所述可控硅的负极、所述第三电阻的第一端和所述电容的第一端连接，所述第二电阻的第二端同时与所述可控硅的控制端和所述单结晶体管的第一基极连接，所述单结晶体管的第二基极与所述第三电阻的第二端连接，所述单结晶体管的发射极同时与所述电容的第二端、所述电位器的第一端和所述电位器的滑动端连接，所述电位器的第二端与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述二极管的负极连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，孙国栋，
申请(专利权)人：成都世旗电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：