【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种碳化硅合成电阻炉,包括炉柱(1)、炉壁板(4)、炉底支架(7)、电极(8)和炉头(9),其特征在于:炉柱下方设有底部封闭的铁板箱(6),炉柱(1)植根于铁板箱(6)内。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:焦松强,赵建立,由远洪,孙福龙,白周义,牛景林,
申请(专利权)人:新疆益丰西部陶瓷材料科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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