【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种像素阵列的测试电路，其特征在于，包括：M个薄膜场效应晶体管MOS开关，每一所述MOS开关的源极/漏极与像素阵列的数据线电性连接；N个第一测试衬垫，用于输入测试控制信号分别控制所述M个MOS开关通断，每一所述第一测试衬垫与至少一个所述MOS开关的栅极电性连接；K个第二测试衬垫，用于输入数据信号，每一所述第二测试衬垫与至少一个所述MOS开关的漏极/源极电性连接；P个集成电路元件IC衬垫，至少一个所述IC衬垫包括至少两个子衬垫，所述IC衬垫中的所述至少两个子衬垫分别与所述M个MOS开关中相同数目的所述MOS开关的栅极一一对应电性连接；其中，M为大于等于2的整数，N、K和P均为大于等于1的整数。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：夏军，周莉，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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