对存储器的连续页面读取制造技术

本文所揭示的标的涉及以连续方式读取存储器的技术。一种方法包括以下步骤：读取第一数据页面并响应于接收到所述第一页面的存储器地址的第一部分而将所述第一数据页面提供到页面缓冲器；响应于接收到所述第一页面的所述存储器地址的额外部分而提取存储在所述页面缓冲器中的所述第一数据页面的字；及在完成所述提取所述第一页面的字之前激活读出放大器以感测第二数据页面。同时读取第一页面的一部分及后续页面的一部分的此过程可提供改进读取速度的益处。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对存储器的连续页面读取
本文中所揭示的标的涉及以连续方式读取存储器的技术。
技术介绍
存储器装置用于许多类型的电子装置中，比如，计算机、蜂窝式电话、个人数字助理(PDA)、数据记录器及导航设备(仅举几个实例)。在此些电子装置中，可采用各种类型的非易失性存储器装置，比如NAND或NOR快闪存储器、SRAM、DRAM及相变存储器(仅举几个实例)。通常来说，可使用写入或编程操作以将信息存储在此些存储器装置中，同时可使用读取操作来检索已存储的信息。
技术实现思路
附图说明参考以下图式将描述非限制性及非详尽性实施例，其中在贯穿各种图式中，除非另行说明，否则相同参考数字指代相同部件。图1是根据实施例的连续读取过程的时序图。图2是根据实施例的连续读取过程的流程图。图3是根据另一实施例的连续读取过程的时序图。图4是根据又一实施例的连续读取过程的时序图。图5是根据又一实施例的连续读取过程的时序图。图6是图解说明计算系统的示范性实施例的示意图。具体实施方式贯穿本说明书，对“一个实施例”或“一实施例”的引用意指连同所述实施例描述的特定特征、结构或特性包含在所主张标的的至少一个实施例中。因此，在贯穿本说明书的各本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种读取存储器的方法，所述方法包括：读取第一数据页面并响应于接收到所述第一数据页面的存储器地址的第一部分而提供待存储到页面缓冲器的所述第一数据页面；将所述第一数据页面存储到页面缓冲器之后，接收所述第一数据页面的所述存储器地址的额外部分；响应于接收到所述第一数据页面的所述存储器地址的额外部分而提取存储在所述页面缓冲器中的所述第一数据页面的字；及在完成提取所述第一数据页面的字之前感测第二数据页面。2.根据权利要求1所述的读取存储器的方法，其进一步包括：监视从所述页面缓冲器提取的所述字的计数；及响应于所述计数达到小于所述第一数据页面的所述字的数目的特定阈值数目，感测所述第二数据页面，同时继续提取所述字。3.根据权利要求1所述的读取存储器的方法，其进一步包括：响应于正提取所述第一数据页面的末字而将所述第二数据页面提供到所述页面缓冲器。4.根据权利要求1所述的读取存储器的方法，其中在不接收所述第二数据页面的地址的情况下自动执行起始所述第二数据页面的所述感测。5.根据权利要求1所述的读取存储器的方法，其中所述存储器地址的所述第一部分包括所述第一数据页面的地址且所述存储器地址的所述额外部分包括所述存储器地址的最低有效位以识别所述第一数据页面的所述字。6.根据权利要求1所述的读取存储器的方法，其进一步包括：使所述存储器地址的所述额外部分在两个值之间切换，其中提取所述第一数据页面的所述字是与所述切换同步执行，且其中所述存储器地址的所述额外部分包括所述存储器地址的单一位。7.根据权利要求1所述的读取存储器的方法，其中所述提取所述第一数据页面的字是与改变所述存储器地址的所述额外部分的值同步执行。8.根据权利要求1所述的读取存储器的方法，其中所述存储器地址的所述第一部分对应于两个或两个以上页面。9.一种存储器装置，其包括：控制器，其用以：读取数据页面并响应于接收到所述数据页面的存储器地址的第一部分而提供待存储到页面缓冲器的所述数据页面；将所述数据页面存储到页面缓冲器之后，接收所述数据页面的所述存储器地址的额外部分；响应于所述存储器地址的所述额外部分而提取存储在所述页面缓冲器中的所述数据页面的字；及在完成提取所述数据页面的字之前感测后续数据页面。10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述控制器进一步适于：监视从所述页面缓冲器提取的所述字的计数；及响应于所述计数达到小于所述数据页面的所述字的数...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈骏，张屹华，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：
国别省市：