p-n型纳米CuO/α-Fe2O3复合半导体材料的制备及其作为气体敏感材料的应用制造技术

本发明专利技术涉及一种p-n型纳米CuO/α-Fe2O3复合半导体材料的制备方法，并将其应用于气体传感器领域。采用化学沉淀法制备出纯态α-Fe2O3，再采用沉积-沉淀法制备出纳米CuO/α-Fe2O3复合半导体材料。本发明专利技术的CuO/α-Fe2O3复合半导体气敏材料制备技术简单，设备要求不高，成本低廉，所制备的气敏材料随着CuO含量的增大，Cu原子逐渐进入到α-Fe2O3晶相中；球形颗粒的粒径大小为10～20nm。所制备材料可实现在室温下对硫化氢气体的有效检测，在50℃和100℃下均对一氧化碳气体快速响应，具有较大的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种p?n型纳米CuO/α?Fe2O3复合半导体材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：采用化学沉淀法制备出α?Fe2O3纳米粉体，再采用沉积?沉淀法制备出纳米CuO/α?Fe2O3复合半导体材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹建亮，王燕，孙广，李彦伟，付乌有，孟哈日巴拉，张战营，
申请(专利权)人：河南理工大学，
类型：发明
国别省市：