蓄电装置制造方法及图纸

技术编号:9010284 阅读:179 留言:0更新日期:2013-08-08 21:53
本发明专利技术提供一种蓄电装置,该蓄电装置具有改善了的性能如高放电容量,并不容易发生由活性材料层的剥落等导致的劣化。在用于蓄电装置的电极中,在集流体上的活性材料层中使用掺杂有磷的非晶硅作为能够与锂合金化的材料,并且在该活性材料层上作为包含铌的层形成氧化铌。从而可以提高蓄电装置的容量,还可以改善循环特性及充放电效率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种蓄电装置。注意,蓄电装置是指具有蓄电功能的所有元件以及装置。
技术介绍
近年来,对各种蓄电装置诸如锂二次电池、锂离子电容器以及空气电池进行了开发。尤其是,作为高输出及高能量密度的二次电池,使锂离子在正电极与负电极之间迁移而进行充放电的锂二次电池引人注目。用于蓄电装置的电极通过在集流体的一个表面上形成活性材料层而制造。活性材料层使用能够嵌入及脱嵌用作载流子的离子的活性材料诸如碳或硅而形成。例如,当使用硅或掺杂有磷的硅形成活性材料层时,其理论容量比使用碳形成的活性材料层的理论容量高,在增加蓄电装置的容量这一点占优势(如专利文献I)。但是,已知用作活性材料的硅的体积当硅吸留锂离子时膨胀,并当硅释放锂离子时收缩。因此,例如,伴 随着电池的充放电,活性材料层成粉末而从集流体脱离等的问题发生。结果,电极中的集电性降低,使得充放电循环特性恶化。作为上述问题的对策,有如下方法:通过将碳、铜或镍等涂敷在活性材料层表面以抑制硅的粉末化而脱离;但是上述涂敷有时会阻碍锂与硅之间的反应,从而有时会减少充放电容量。日本专利申请公开2001-210315号公报
技术实现思路
专利技术的一个方式的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:栗城和贵井上信洋荻野清文
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:
国别省市:

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