本发明专利技术公开了一种基于平面光波导型粗波分复用器/解复用器，包括衬底（1）、下包层（2）、芯层（3）和上包层（4），在所述芯层（3）设有光路，光路中设有多个深沟槽，所需中心波长的薄膜滤波片（5）固定在深沟槽中，所述光路设置有一个输入端（6）和N个输出端（7），所述输出端分布在器件两侧，N为大于或等于1的自然数，每个输出端（7）对应一个所述薄膜滤波片（5）；本发明专利技术还公开了一种基于平面光波导型粗波分复用器/解复用器的制造方法。本发明专利技术的CWDM复用器/解复用器结构紧凑、制造工艺简单，成本较低，稳定性好，且隔离度大，对薄膜滤波技术要求相对较低，导致生产时间缩短、效率提高以及原材料需求降低。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种粗波分复用器/解复用器，具体的是一种基于平面光波导粗波分复用器及制造方法。
技术介绍
CffDM是一种面向城域网接入层的低成本WDM传输技术，CffDM就是利用光复用器将不同波长的光信号复用至单根光纤进行传输，在链路的接收端，借助光解复用器将光纤中的混合信号分解为不同波长的信号，连接到相应的接收设备。较大的波长间隔意味着光复用器/解复用器的结构大大简化。例如，CWDM系统的滤波器镀膜层数可降为50层左右，而DffDM系统中的IOOGHz滤波器镀膜层数约为150层，CWDM滤波器的成本比DWDM滤波器的成本要少50%以上。目前现有的CWDM薄膜滤波片型复用器的制作采用全胶封装工艺，多采用分立的单个元器件封装而成。其缺点是器件体积较大，不利于集成；且随着通道数的增加，插入损耗增大，成本相对来讲比较高。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述技术问题，本专利技术提供一种基于平面光波导型粗波分复用器/解复用器，包括衬底、下包层、芯层和上包层，在所述芯层设有光路，光路中设有多个深沟槽，所需中心波长的薄膜滤波片固定在深沟槽中。进一步的，所述光路设置有一个输入端和N个输出端，所述输出端分布在器件两侦牝N为大于或等于I的自然数，每个输出端对应一个所述薄膜滤波片。进一步的，相邻两个输出端间的距离是127μπι或250μπι或者是127μπι、250μπι的整数倍。进一步的，所述光路包括直波导和弯曲波导。本专利技术还提供了一种基于平面光波导型粗波分复用器/解复用器的制造方法，包括如下步骤: (1)选择衬底，对其进行表面抛光； (2)采用CVD在衬底上沉积下包层，其厚度为18微米； (3)同样采用CVD在下包层上沉积芯层，对芯层进行光刻，将光刻板上的波导光路图案转移到芯层上去，然后通过ICP刻蚀，形成在芯层上的芯层波导光路；(4)采用相同的CVD方法在芯层上沉积上包层，厚度为18微米，将芯层(3)覆盖住； (5)最后，通过光刻套刻和ICP刻蚀，在芯层波导光路中刻蚀出深沟槽，并将所需中心波长的薄膜滤波片用UV胶固定在深沟槽中。进一步的，所述波导光路设置有一个输入端和N个输出端，N为大于或等于I的自然数，每个输出端对应一个所述薄膜滤波片。进一步的，相邻两个输出端间的距离是127μπι或250μπι或者是127μπι、250μπι的整数倍。进一步的所述光路波导包括直波导和弯曲波导。本专利技术的CWDM复用器/解复用器结构紧凑、易实现与现有有源、无源器件的集成；其制造工艺简单，成本较低，机械及环境稳定性好，且隔离度大，对薄膜滤波技术要求相对较低，导致生产时间缩短、效率提高以及原材料需求降低。附图说明图1是本专利技术的基于平面光波导粗波分复用器/解复用器的原理图； 图2是本专利技术的基于平面光波导粗波分复用器/解复用器的俯视图； 图3是本专利技术的基于平面光波导粗波分复用器/解复用器的制造步骤(I)示意图； 图4是本专利技术的基于平面光波导粗波分复用器/解复用器的制造步骤(2)示意图； 图5是本专利技术的基于平面光波导粗波分复用器/解复用器的制造步骤(3)示意图； 图6是本专利技术的基于平面光波导粗波分复用器/解复用器的制造步骤(4)示意图； 图7是本专利技术的基于平面光波导粗波分复用器/解复用器的制造步骤(5)示意图。具体实施方式如图1所示，本专利技术的基于平面光波导粗波分复用器/解复用器，各个波长的光信号(λ ，λ2，...，λη)从解复用器同一输入端输入，经过特定波长的滤波片后，将不同波长的信号分开，完成多路光信号传输的任务。根据光路可逆原理，载有各种信息的、具有不同波长的已调光信号λ 1，λ 2，...，λ η通过光复用器芯片组合在一起,并在同一波导中单向传输。如图2-7所示，本专利技术的基于平面光波导型粗波分复用器/解复用器，它的结构主要包括衬底1、下包层2、芯层3和上包层4，在芯层3设有光路(包括直波导和弯曲波导)，光路中设有多个深沟槽，所需中心波长的薄膜滤波片5用UV胶固定在深沟槽中，光路设置有一个输入端6和N个输出端7，N为大于或等于I的自然数，每个输出端7对应一个薄膜滤波片5。每相邻输出端间的距离是127μπι、250μπι或者是127 μ m、250 μ m的整数倍。本专利技术的基于平面光波导型粗波分复用器的制造方法包括如下步骤: (1)选择衬底I，对其进行表面抛光； (2)采用CVD在衬底材料上沉积下包层2，其厚度为18微米； (3)同样采用CVD在下包层 2上沉积芯层3，对芯层3进行光刻，将光刻板上的波导光路图案转移到芯层3上去，然后通过ICP刻蚀，形成在芯层3上的芯层波导光路； (4)采用相同的CVD方法在芯层上沉积上包层4，厚度为18微米，将芯层3覆盖住； (5)最后，通过光刻套刻和ICP刻蚀，在芯层波导光路中刻蚀出深沟槽，并将所需中心波长的薄膜滤波片5用UV胶固定在深沟槽中。以上所述及图中所示的仅是本专利技术的优选实施方式。应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术的原理的前提下，还可以作出若干变型和改进，这些也应视为属于本专利技术的保护范围。权利要求1.一种基于平面光波导型粗波分复用器/解复用器，包括衬底(I)、下包层(2)、芯层(3)和上包层(4)，其特征在于:在所述芯层(3)设有光路，光路中设有多个深沟槽，所需中心波长的薄膜滤波片(5)固定在深沟槽中。2.如权利要求1所述的基于平面光波导型粗波分复用器/解复用器，其特征在于:所述光路设置有一个输入端(6)和N个输出端(7),所述输出端分布在器件两侧，N为大于或等于I的自然数，每个输出端(7 )对应一个所述薄膜滤波片(5 )。3.如权利要求2所述的基于平面光波导型粗波分复用器/解复用器，其特征在于:相邻两个输出端(7)间的距离是127μπι或250μπι或者是127 μ m、250 μ m的整数倍。4.如权利要求1所述的基于平面光波导型粗波分复用器/解复用器，其特征在于:所述光路包括直波导和弯曲波导。5.一种基于平面光波导型粗波分复用器/解复用器的制造方法，包括如下步骤: (1)选择衬底(I)，对其进行表面抛光； (2)采用CVD在衬底(I)上沉积下包层(2)，其厚度为18微米； (3 )同样采用CVD在下包层(2 )上沉积芯层(3 )，对芯层(3 )进行光刻，将光刻板上的波导光路图案转移到芯层(3)上去，然后通过ICP刻蚀，形成在芯层(3)上的芯层波导光路； (4)采用相同的CVD方法在芯层上沉积上包层(4)，厚度为18微米，将芯层(3)覆盖住； (5)最后，通过光刻套刻和ICP刻蚀，在芯层波导光路中刻蚀出深沟槽，并将所需中心波长的薄膜滤波片(5)用UV胶固定在深沟槽中。6.如权利要求5所述的基于平面光波导型粗波分复用器/解复用器的制造方法，其特征在于:所述波导光路设置有一个输入端(6)和N个输出端(7), N为大于或等于I的自然数，每个输出端(7 )对应一个所述薄膜滤波片(5 )。7.如权利要求6所述的基于平面光波导型粗波分复用器/解复用器的制造方法，其特征在于:相邻两个输出端(7)间的距离是127μπι或250μπι或者是127 μ m、250 μ m的整数倍。8.如权利要求5所述的基于平面光波导型粗波分复用器/解复用器的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于平面光波导型粗波分复用器/解复用器，包括衬底（1）、下包层（2）、芯层（3）和上包层（4），其特征在于：在所述芯层（3）设有光路，光路中设有多个深沟槽，所需中心波长的薄膜滤波片（5）固定在深沟槽中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张丽丹，陆昇，刘勇，陈一博，胡灿栋，
申请(专利权)人：杭州天野通信设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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