【技术实现步骤摘要】
本技术涉及LDO (low-dropout linear regulator低压差线性稳压器)领域，特别是涉及一种LDO过快启动时的过冲保护电路。本技术还涉及一种采用所述过冲保护电路的LDO。
技术介绍
LDO具有结构简单、低噪声和低功耗等突出优点，在便携式电子产品中有着广泛的应用。LDO的供电电压往往是较高的电压，而输出电压为稳定的较低的电压以满足数字电路低功耗的要求。参见附图说明图1所示，现有的LD0，其电源电压往往上电很快，时间在ns量级，这时LDO环路还未正常工作；而功率PMOS晶体管MO的尺寸往往较大，栅极电容较大，其栅极电压Vgate难以跟随LDO的电源电压上升速度，导致功率PMOS晶体管MO开启，有较大的电流流入输出端，从而导致输出电压Vout过冲，如果LDO输出电压Vout的过冲过高，且输出电压Vout之后的器件为低压器件，则有被击穿的风险，容易对低压MOS晶体管产生损害。随着集成电路工艺技术的发展，MOS晶体管的线宽越来越窄，栅氧化层的厚度也越来越薄，MOS晶体管的击穿电压越来越低。因此抑制LDO输出电压的过冲则显得非常的必要。现有的LDO往往...
【技术保护点】
一种低压差线性稳压器LDO的过冲保护电路，其特征在于，包括：一RC延迟电路和一上拉PMOS晶体管；所述RC延迟电路由第一PMOS晶体管和一半导体电容组成；第一PMOS晶体管的源极与电源电压相连接，其栅极接地，其漏极与半导体电容的一端和上拉PMOS晶体管的栅极相连接；半导体电容的另一端接地；上拉PMOS晶体管的源极与电源电压相连接，其漏极与低压差线性稳压器LDO的功率PMOS晶体管的栅极相连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李霞，
申请(专利权)人：上海华虹集成电路有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：
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