【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电力电子应用领域，具体涉及一种利用双脉冲测试两电平变流器开关性能的电路。
技术介绍
随着电力电子技术的发展和应用领域的不断扩大，两电平变流器作为主流的拓扑结构在实际应用中仍占有较大的市场份额。而IGBT (绝缘栅双极型晶体管)自身及其驱动的技术指标，以及连接功率器件、直流支撑电容的叠层母排的技术性能，都是系统设计中的重要因素。在功率变换的应用场合，IGBT的死区设计是保证功率器件运行安全的主要手段，过小的死区将导致上下桥臂直通，造成器件过流甚至系统崩溃；过大的死区将增大系统的谐波输出，对负载以及电网造成污染。而死区设计的重要依据是变流器系统开通、关断时间的延时，包括IGBT自身的延时和驱动的延时。同时，二极管的反向恢复特性在变流器的换流过程中起着举足轻重的作用，如果不能快速地恢复到阻断状态，下一个桥臂开通时将把直流母线短路，造成器件的损坏，掌握反向恢复电流的峰值，有助于系统保护策略的设计。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种基于双脉冲的两电平变流器开关性能的测试电路，可以方便、精确地测量出两电平变流器系统开通、关断延时。实现上述目的的技术方案是:一种基...
【技术保护点】
一种基于双脉冲的两电平变流器开关性能的测试电路，所述两电平变流器包括单相两电平桥臂，该单相两电平桥臂包括串联的带反并联二极管的第一IGBT和第二IGBT、用于驱动所述第一IGBT的第一IGBT驱动电路以及用于驱动所述第二IGBT的第二IGBT驱动电路；其特征在于，所述测试电路包括所述第一IGBT、所述第二IGBT、所述第一IGBT驱动电路、所述第二IGBT驱动电路、脉冲发生器、直流支撑电容、叠层母排、直流电源以及续流电抗器，其中：所述脉冲发生器分别连接所述第一IGBT驱动电路和第二IGBT驱动电路；所述第一IGBT驱动电路连接所述第一IGBT的门极；所述第二IGBT驱动电路...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张鲁华，尹正兵，宋小亮，吴竞之，陈国栋，董祖毅，
申请(专利权)人：上海电气集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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