半导体激光装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于提供一种具有稳定的散热性的半导体激光装置。半导体激光装置(100)具备半导体激光元件(10)、载置半导体激光元件(10)的载置体(30)、与载置体(30)连接的基体(40)。基体(40)具有与载置体(30)嵌合的凹部和将凹部的底部的一部分贯通的贯通部。在此，凹部的底部中的除了贯通部之外的剩余部分的厚度为基体(40)的最大厚度的一半以下。载置体(30)的最下表面通过隔着剩余部分而从基体(40)的最下表面分离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光装置。
技术介绍
作为现有技术，已知有一种将载置有“半导体激光元件”的“热沉(heatsink) ” (相当于本说明书的“载置体”)嵌入到在“母体”(相当于本说明书的“基体”)上所形成的贯通部中的半导体激光装置(例如专利文献I)。在引用文献I中记载有如下情况:通过使“热沉”在“母体”的背侧露出，能够使“热沉”与“外部的热沉”直接连接，因此使散热性得以提高(参照引用文献I的段落10)。在先技术文献专利文献专利文献I日本特开平6-302912号公报但是，以使载置体的最下表面与基体的最下表面一致的方式将两者连接实际上较为困难。这是由于，虽然将载置体和基体使用焊料等并进行加热而连接，但因两者的热膨胀系数之差，而载置体的最下表面与基体的最下表面容易错动。因此，若能够使载置体的最下表面与基体的最下表面一致，则能够得到优良的散热性，但当两者的最下表面错动时，散热性会极端变差，从而存在无法得到稳定的散热性这样的问题。
技术实现思路
—方面涉及的半导体激光装置具备半导体激光元件、载置半导体激光元件的载置体、以及与载置体连接 的基体。基体具有与载置体嵌合的凹部和将凹部的底部的一部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光装置，其具备半导体激光元件、载置所述半导体激光元件的载置体、以及与所述载置体连接的基体，所述半导体激光装置的特征在于，所述基体具有与所述载置体嵌合的凹部和将所述凹部的底部的一部分贯通的贯通部，所述底部中的除了所述贯通部之外的剩余部分的厚度为所述基体的最大厚度的一半以下，所述载置体的最下表面通过隔着所述剩余部分而相对于所述基体的最下表面离开。

【技术特征摘要】
2012.01.26 JP 2012-0136721.一种半导体激光装置，其具备半导体激光元件、载置所述半导体激光元件的载置体、以及与所述载置体连接的基体，所述半导体激光装置的特征在于， 所述基体具有与所述载置体嵌合的凹部和将所述凹部的底部的一部分贯通的贯通部，所述底部中的除了所述贯通部之外的剩余部分的厚度为所述基体的最大厚度的一半以下， 所述载置体的最下表面通过隔着所述剩余部分而相对于所述基体的最下表面离开。2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于， 所述半导体激光元件为多模的半导体激光元件。3.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于， 从上方观察时，所述贯通部相对于所述底部的周缘离开而形成。4.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于， 从上方观察时，所述贯...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈久英一郎，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：