【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体技术，更特别的是，本专利技术涉及硅半导体材料制作的结隔离双极型晶体管结构。
技术介绍
双极型晶体管器件和电路往往在硅晶片中的结隔离池上制造出来，以便产生电路元件之间的电气隔离，特别是在线性集成电路中。通常情况下，一种导电类型的外延层存在于另一种导电类型相反的硅衬底上。设备池继而定义在外延层中，在池周围形成了一个相反的导电类型掺杂的边界，并且从外延层表面到衬底延伸。掺杂的边界是由掺杂外延层表面很浅的区域形成，然后掺杂物扩散至热驱动的底层衬底。热驱动也扩散掺杂物导致屏障体现为一般半圆的横截面。这种不必要的横向扩散，减少了在个别隔离池中制造的集成电路组件的表面积。迄今为止，一直试图减少在外延层生长之前在衬底上形成高掺杂区域的边界区的横截面，掺杂衬底掺杂后向上扩散，而掺杂物从外延层表面向下扩散。因此，掺杂厚度只需要有外延层厚度的一半，因此，横向扩散也减少了，使得池表面积更大。这种方法会产生的一个问题是两列掺杂区域在向上扩散和掺杂向下扩散时将会汇集到一起。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是得到在半导体设备制造结隔离池时的改进方法。本专利技术的另一个目...
【技术保护点】
一种实现推回结隔离半导体结构的方法，其特征是：在一个结隔离池中制造硅集成电路的电路元件，组成的某种导电型硅衬底的表面，该硅衬底的表面上有一个导电类型相反的硅外延层，这种导电类型的扩散隔离区从硅外延层到底层延伸，隔离区包围着外延层从而形成了一个电气交界处并且产生了一个导电类型相反的隔离区，扩散的隔离区有这种导电类型的掺杂物，其表面浓度梯度从扩散隔离区的中心到它的边缘不断下降，隔离区的外延层表面有一种导电类型相反的掺杂物，其浓度高于在底部外延层掺杂浓度，也高于隔离区边缘部分附近的掺杂浓度，从而弥补隔离区的边缘部分附近的掺杂浓度，使得边缘部分的导电类型转换为相反的，并且提供了一个...
【技术特征摘要】
1.一种实现推回结隔离半导体结构的方法，其特征是:在一个结隔离池中制造硅集成电路的电路兀件，组成的某种导电型娃衬底的表面，该娃衬底的表面上有一个导电类型相反的硅外延层，这种导电类型的扩散隔离区从硅外延层到底层延伸，隔离区包围着外延层从而形成了一个电气交界处并且产生了一个导电类型相反的隔离区，扩散的隔离区有这种导电类型的掺杂物，其表面浓度梯度从扩散隔离区的中心到它的边缘不断下降，隔离区的外延层表面有一种导电类型相反的掺杂物，其浓度高于在底部外延层掺杂浓...
【专利技术属性】
技术研发人员：包兴坤，
申请(专利权)人：苏州硅智源微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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