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一种实现推回结隔离半导体结构的方法，通过向池的表面部分掺入的杂质，使得硅衬底上的硅外延层的交界处隔离池的表面积增加了，有效地推回池和隔离区之间的结交界处。池周围的结隔离区通常有掺杂浓度分布剖面图，图中显示浓度从结隔离区的中心到池交界处不断下...
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