一种形成超浅结面的方法技术

本发明专利技术公开了一种形成超浅结面的方法，包括以下步骤：（1）提供一经过侧墙刻蚀工艺后形成的半导体结构；（2）对所述半导体结构进行氮源种离子注入工艺后，采用轻掺杂漏极工艺于所述半导体结构上注入硼离子；（3）继续重掺杂离子注入工艺和退火工艺，于所述半导体结构上形成具有超浅结面的源漏区。本发明专利技术引入新的源种——N28，由于N28可以降低硼原子在硅衬底中的扩散，且氮原子不会与硅原子形成共价键，所以克服了碳辅助注入时多晶硅栅耗尽层问题加重的问题，同时可以形成超浅结面，且工艺步骤简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及。
技术介绍
随着超大规模集成电路的迅速发展，集成电路设计越来越复杂，晶圆上芯片的集成度越来越高，金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor,简称:MOS)越做越小。MOS管缩小进而栅极变短，从而在栅极下面的电流沟道也跟着变短，当MOS管沟道缩短到一定程度时，就会出现短沟道效应。理论上说，沟道长度为源极前延到漏极前延的距离，然而，沟道的有效长度会受到源极和漏极与衬底形成的结面空泛区的影响而发生变化。当沟道长度与结面空泛区的深度相当或者更短时，结面空泛区会明显的切入电流沟道，导致栅极阈值电压降低，这便是短沟道效应。短沟道效应使得器件的阈值电压对沟道的长度变化非常敏感，器件的电学性能失常。在90nm工艺技术节点以下的工艺技术中，超浅结面工艺被用来降低互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,简称:CMOS)器件的短沟道效应,对于P沟道金属氧化物半导体(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,简称:PMOS)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成超浅结面的方法，应用于形成PMOS的离子注入工艺中，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：提供一经过栅极侧墙刻蚀工艺和Halo离子注入工艺后形成的半导体结构；步骤2：对所述半导体结构进行氮源种辅助离子注入工艺后，采用轻掺杂漏极工艺于所述半导体结构上注入硼离子；步骤3：继续重掺杂离子注入工艺和退火工艺，于所述半导体结构上形成具有超浅结面的源漏区；其中，所述半导体结构包括硅衬底和栅极结构，所述栅极结构位于所述硅衬底的上表面，且该硅衬底中设置有浅沟槽隔离区和有源区，所述有源区位于所述浅沟槽隔离区与所述栅极结构之间。

【技术特征摘要】
1.一种形成超浅结面的方法，应用于形成PMOS的离子注入工艺中，其特征在于，包括以下步骤: 步骤1:提供一经过栅极侧墙刻蚀工艺和Halo离子注入工艺后形成的半导体结构； 步骤2:对所述半导体结构进行氮源种辅助离子注入工艺后，采用轻掺杂漏极工艺于所述半导体结构上注入硼离子； 步骤3:继续重掺杂离子注入工艺和退火工艺，于所述半导体结构上形成具有超浅结面的源漏区； 其中，所述半导体结构包括硅衬底和栅极结构，所述栅极结构位于所述硅衬底的上表面，且该硅衬底中设置有浅沟槽隔离区和有源区，所述有源区位于所述浅沟槽隔离区与所述栅极结构之间。2.如权利要求1所述的形成超浅结面的方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺进行所述栅极侧墙刻蚀工艺。3.如权利要求1所述的形成超浅结面的方法，其特征在于，所述Halo离子注入工艺的离子源为砷。4.如权利要求3所述的形成超浅结...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖天金，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：