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本发明公开了一种形成超浅结面的方法，包括以下步骤：（1）提供一经过侧墙刻蚀工艺后形成的半导体结构；（2）对所述半导体结构进行氮源种离子注入工艺后，采用轻掺杂漏极工艺于所述半导体结构上注入硼离子；（3）继续重掺杂离子注入工艺和退火工艺，于所述...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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