将Nandflash的物理块按无效页数量进行排序的方法技术

本发明专利技术公开了一种将Nandflash的物理块按无效页数量进行排序的方法，第一步，将无效页数相同的物理块串联成一个子排序链表；第二步，将各子排序链表按无效页数由多到少依次串联起来，形成一个包含所有物理块的排序链表。本发明专利技术可以在较短的时间内完成排序，提高排序的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种将Nandflash(与非型闪存)的物理块按无效页数量进行排序的方法。
技术介绍
Nandflash在最近几年里得到了突飞猛进的发展，由SLC(1位/单元)技术发展到了 MLC(多位/单元)技术，同时Nandflash的生产工艺也不断进步。随着技术的发展，Nandflash容量不断增大，单位容量的成本也大幅降低，应用Nandflash的领域也越来越多。Nandflash的擦写次数是有限的，在擦写的时候要尽量擦除无效页数量最多的块，因此在Nandflash控制器的设计中，选择无效页数量最多的块，是一个非常必要的功能。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，可以在较短的时间内完成排序，提高排序的效率。为解决上述技术问题，本专利技术的是采用如下技术方案实现的:第一步，将无效页数相同的物理块串联成一个子排序链表；第二步，将各子排序链表按无效页数由多到少依次串联起来，形成一个包含所有物理块的排序链表。所述排序链表米用链表结构。本专利技术采用链表结构对Nandflash的物理块进行排序，可以在较短的时间内完成排序。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明:附图是流程图。具体实施例方式本专利技术中各变量的定义见下表1:

【技术保护点】
一种将与非型闪存Nandflash的物理块按无效页数量进行排序的方法，其特征在于：第一步，将无效页数相同的物理块串联成一个子排序链表；第二步，将各子排序链表按无效页数由多到少依次串联起来，形成一个包含所有物理块的排序链表。

【技术特征摘要】
1.一种将与非型闪存Nandflash的物理块按无效页数量进行排序的方法，其特征在于: 第一步，将无效页数相同的物理块串联成一个子排序链表； 第二步，将各子排序链表按无效页数由多到少依次串联起来，形成一个包含所有物理块的排序链表...

【专利技术属性】
技术研发人员：迟志刚，
申请(专利权)人：上海华虹集成电路有限责任公司，
类型：发明
国别省市：