高压变压器结构制造技术

本实用新型专利技术为一种高压变压器结构，包含：第一绕线架；初级绕组，缠绕于第一绕线架上；第二绕线架，具有多个绕线槽和贯穿通道，第一绕线架设置于贯穿通道中，贯穿通道两端分别为第一开口和第二开口，第二开口大于第一开口，贯穿通道中具有对应于最靠近第二开口绕线槽的第三开口，以及对应于次靠近第二开口绕线槽的第四开口；次级绕组，由多个次级绕线所串联构成，多个次级绕线分别缠绕于对应多个绕线槽上；其中，第三开口大于第四开口且多个绕线槽与初级绕组间的距离随着缠绕于绕线槽次级绕线所产生电位的增加而增加。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

High voltage transformer structure

The utility model relates to a high voltage transformer structure comprises a first bobbin bracket; a primary winding, winding in the first bobbin bracket; the second reel, having a plurality of winding grooves and through the channel, the first reel is arranged in the through passage, through both ends of the channel are respectively the first opening and the second opening. Second, the opening is larger than the first opening is corresponding to the second opening near the winding groove third openings through the channel, and corresponds to the time near the second opening winding groove fourth opening; the secondary winding, a secondary winding are connected in series, a plurality of secondary winding are respectively wound corresponding to a plurality of winding among them, the third opening slot; more than fourth openings and a plurality of winding grooves and the distance between the primary winding is wound on a winding groove with increasing secondary winding caused by potential increasing.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种变压器结构，尤其涉及高压变压器结构。
技术介绍
高压变压器作为开关变换器中的关键组件，对于X光管驱动电源和高压静电除尘电源等高压电源尤其重要。请参阅图1A,其为传统闻压电路电路不意图，如图所不,传统闻压电路I接收一交流电压Vin，且包含高压变压器T以及由电容Cr、电容Co、二极管D1、D2所组成倍压整流电路，其中高压变压器T包含一原边绕组Np以及一副边绕组Ns，原边绕组Np为低压绕组，而副边绕组Ns为高压绕组，可由多个绕组串接组成，例如:Nsl、Ns2、Ns3、Ns4、Ns5，且绕组电位依次增加，以串联构成副边绕组Ns，交流电压Vin作用于变压器T原边绕组Np，经由副边绕组Ns的升压，以及倍压整流电路进行倍压及整流处理后即可产生一输出电压Vo。而高压电路I为了获得高电压输出，需要通过增加高压变压器T的高压绕组的匝数，即增加副边绕组Ns的匝数，以增加高压绕组与低压绕组间的匝比，请参阅图1B，其为图1A所示高压变压器T部分剖面结构示意图，如图所示，高压变压器T包含原边绕线架11、副边绕线架12以及铁芯13，而副边绕线架12具有多个绕线槽121、122、123、124、125，部分铁芯13装配在原边绕线架11内侧，原边绕线架11装配在副边绕线架12内侧，原边绕组Np绕在原边绕线架11，副边绕组Nsl至Ns5依次自下而上地绕在副边绕线架12的5个绕线槽中121 125，请配合参阅图1A，图1B所示高压变压器T的副边绕组Nsl为低电压绕组部分，副边绕组Nsl的起始端与副边的接地端连接，副边绕组Ns5为高电压绕组部分，副边绕组Ns5的末端为高压变压器T的最高电位跳变点，与倍压整流电路连接，最后产生一输出电压Vo。 然而，根据图1B所示高压变压器T结构，副边绕组Nsl Ns5到原边绕组Np的距离均相同，由于副边绕组Nsl Ns5所产生的电压由下而上依次上升，使得低电压副边绕组Nsl与原边绕组Np的电压差远远低于高电压副边绕组Ns5到原边绕组Np的电压差，对于电压应力和绝缘处理不利，并且由于副边绕组Ns5的高电压作用，使得副边绕组Ns5与原边绕组Np间存储非常高的电场强度和电场能量，容易导致高压变压器T发生高电压电击穿和放电的情况，而使得高压变压器T的原边绕组Np与副边绕组Ns间的等效寄生电容过大。为了解决上述高压变压器T的原边绕组Np与副边绕组Ns间的电场强度和寄生电容过大的问题，传统技术是采用将副边绕线架12的半径R加大的方式(如图1B所示)，以增加原边绕组Np与副边绕组Ns间的距离，虽然可达到解决原边绕组Np与副边绕组Ns间的电场强度和寄生电容过大的问题，但是确实会导致原边绕组Np与副边绕组Ns间的漏感增力口，而使得高压变压器T的电磁转换效率下降。因此，如何发展一种可降低漏感及等效寄生电容以及提高耐压及绝缘能力高压变压器结构，实为目前迫切需要解决问题。
技术实现思路
本技术主要目的在于提供一种高压变压器结构，以解决传统高压变压器副边绕组到原边绕组的距离均相同，对于电压应力和绝缘处理不利，以及原边绕组与副边绕组间的等效寄生电容过大。虽然传统采用将副边绕线架的半径加大的方式以增加原边绕组与副边绕组间的距离，但是会导致原边绕组与副边绕组间的漏感增加，而发生高压变压器的电磁转换效率下降等缺点。为达上述目的，本技术一较广义实施方式为提供一种高压变压器结构，至少包含:一第一绕线架、一初级绕组、一第二绕线架和一次级绕组；初级绕组缠绕于该第一绕线架上；第二绕线架具有多个绕线槽和一贯穿通道，该第一绕线架设置于该贯穿通道中，该贯穿通道两端分别为一第一开口和一第二开口，该第二开口大于该第一开口，且该贯穿通道中具有对应于最靠近该第二开口该绕线槽的一第三开口，以及对应于次靠近该第二开口该绕线槽的一第四开口 ；次级绕组由多个次级绕线所串联构成，且该多个次级绕线分别缠绕于对应该多个绕线槽上；其中，该第三开口大于该第四开口，且该多个绕线槽与该初级绕组间的距离随着缠绕于该绕线槽该次级绕线所产生电位的增加而增加。根据本技术的一实施方式，该第二绕线架呈现一喇叭状结构。根据本技术的一实施方式，该多个次级绕线中产生最低电位的该次级绕线与一接地端连接且其与该初级绕组间的距离最小。根据本技术的一实施方式，该多个次级绕线中产生最高电位的该次级绕线与一倍压整流电路连接且其与该初级绕组间的距离最大。根据本技术的一实施方式，该高压变压器结构还包含一屏蔽组件，屏蔽组件设于该初级绕组与该第二绕线架间。根据本技术的一实施方式，该屏蔽组件由铜箔所构成，并与一固定电位点连接。根据本技术的一实施方式，该固定电位点为一接地端或是一高压电位点。根据本技术的一实施方式，该高压变压器结构还包含一铁芯，其部分设置于该第一绕线架中。本技术另一较广义实施方式为提供一种高压变压器结构，至少包含一第一绕线架、一初级绕组、一第二绕线架和一次级绕组。初级绕组缠绕于该第一绕线架上；第二绕线架具有多个绕线槽和一贯穿通道，该第一绕线架设置于该贯穿通道中，该贯穿通道两端分别为一第一开口和一第二开口，且该贯穿通道中央区域具有一第三开口，该第一开口及该第二开口大于该第三开口，且该贯穿通道中具有对应于最靠近该第一开口的该绕线槽的一第四开口，以及对应于次靠近该第一开口的该绕线槽的一第五开口，且该贯穿通道中具有对应于最靠近该第二开口的该绕线槽的一第六开口，以及对应于次靠近该第二开口的该绕线槽的一第七开口 ；次级绕组由多个次级绕线所串联构成，且该多个次级绕线分别缠绕于对应的该多个绕线槽上。其中，该第四开口大于该第五开口，该第六开口大于该第七开口，且该多个绕线槽与该初级绕组间的距离随着缠绕于该绕线槽的该次级绕线所产生电位的增加而增加。本技术的功效:将第二绕线架所包含多个绕线槽与初级绕组间的距离随着缠绕于绕线槽次级绕线所产生电 位的增加而增加，可使得供缠绕产生最低电位次级绕线的绕线槽与初级绕组间的距离最小，而供缠绕产生最高电位次级绕线的绕线槽与初级绕组间的距离最大，即产生最高电位次级绕线到初级绕组的距离最大，而产生最低电位次级绕线到初级绕组的距离最小，如此即可通过减小产生最低电位次级绕线到初级绕组的距离来降低漏感，并通过依序增加产生高电压其它次级绕线到初级绕组的距离，来降低初级绕组与次级绕组间的电场强度和等效寄生电容。附图说明图1A为传统闻压电路电路不意图。图1B为图1A所示高压变压器T部分剖面结构示意图。图2A为本技术第一较佳实施例高压变压器结构剖面示意图。图2B为图2A中所示次级绕组缠绕于第二绕线架剖面结构示意图。图3为本技术第二较佳实施例高压变压器结构剖面示意图。图4为本技术高压变压器结构所适用另一高压电路电路示意图。图5为图4所示高压变压器结构一较佳实施例剖面示意图。图6为图4所示高压变压器结构另一较佳实施例部分剖面示意图。其中，附图标记说明如下:高压电路:1、3原边绕线架:1 1副边绕线架:12绕线槽:121、122、123、124、125铁芯:13高压变压器结构:2、4第一绕线架:21、45、47第二绕线架:22、46、48、49、50绕线槽:221、222、223、224、225、461、462、463、464、465、4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压变压器结构，其特征在于，至少包含：一第一绕线架；一初级绕组，其缠绕于该第一绕线架上；一第二绕线架，具有多个绕线槽和一贯穿通道，该第一绕线架设置于该贯穿通道中，该贯穿通道两端分别为一第一开口和一第二开口，该第二开口大于该第一开口，且该贯穿通道中具有对应于最靠近该第二开口的该绕线槽的一第三开口，以及对应于次靠近该第二开口的该绕线槽的一第四开口；一次级绕组，其由多个次级绕线所串联构成，且该多个次级绕线分别缠绕于对应该多个绕线槽上；其中，该第三开口大于该第四开口，且该多个绕线槽与该初级绕组间的距离随着缠绕于该绕线槽该次级绕线所产生电位的增加而增加。

【技术特征摘要】
1.一种高压变压器结构，其特征在于，至少包含: 一第一绕线架； 一初级绕组，其缠绕于该第一绕线架上； 一第二绕线架，具有多个绕线槽和一贯穿通道，该第一绕线架设置于该贯穿通道中，该贯穿通道两端分别为一第一开口和一第二开口，该第二开口大于该第一开口，且该贯穿通道中具有对应于最靠近该第二开口的该绕线槽的一第三开口，以及对应于次靠近该第二开口的该绕线槽的一第四开口； 一次级绕组，其由多个次级绕线所串联构成，且该多个次级绕线分别缠绕于对应该多个绕线槽上； 其中，该第三开口大于该第四开口，且该多个绕线槽与该初级绕组间的距离随着缠绕于该绕线槽该次级绕线所产生电位的增加而增加。2.如权利要求1所述的高压变压器结构，其特征在于该第二绕线架呈现一喇叭状结构。3.如权利要求1所述的高压变压器结构，其特征在于该多个次级绕线中产生最低电位的该次级绕线与一接地端连接且其与该初级绕组间的距离最小。4.如权利要求3所述的高压变压器结构，其特征在于该多个次级绕线中产生最高电位的该次级绕线与一倍压整流电路连接且其与该初级绕组间的距离最大。5.如权利要求1所述的高压变压器结构，其特征在于该高压变压器结构还包含一屏蔽组件，屏蔽组件设于该初级绕组与该第二绕线架间。6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢增艺，吴伟华，
申请(专利权)人：台达电子工业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：