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基于环形磁场驱动的餐桌电动转盘制造技术

技术编号:8952477 阅读:150 留言:0更新日期:2013-07-24 18:21
本发明专利技术涉及一种基于环形磁场驱动的餐桌电动转盘,其包括底座及转盘本体;转盘本体与底座之间设有轨道环,且轨道环上设有若干均匀分布的钢珠,转盘本体通过钢珠设置于底座的上方,并能通过钢珠在底座上转动;轨道环的内侧设置若干环形凹铁芯,环形凹铁芯位于底座上,环形凹铁芯内嵌置有三相线圈绕组,三相线圈绕组与旋转控制器电连接,旋转控制器与开关电连接;环形凹铁芯的上方设有N极、S极相间的凸极式永磁体,永磁体固定安装于转盘本体的下表面;旋转控制器根据开关输入的开关信号控制三相线圈绕组的导通,以使得三相线圈绕组与永磁体配合产生的作用力推动转盘本体在底座上转动。本发明专利技术结构简单紧凑,使用成本低,转动控制精度高,适应范围广,安全可靠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种餐桌转盘,尤其是一种基于环形磁场驱动的餐桌电动转盘,属 于电磁驱动的餐桌电动转盘技术的应用领域。
技术介绍
现有的餐桌转盘基本都是手推的,而在为数不多的电动式餐桌转盘中,无论使用何种方法,都是用直流或交流电机作为执行机构直接或间接地驱动转盘旋转的,由于加入电机的缘故,许多设计方法使得转盘体积变大,不美观实用,更重要的是不同的设计思路对旋转电机的要求也不一样,因此增加了成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种基于环形磁场驱动的餐桌电动转盘,其结构简单紧凑,使用成本低,转动控制精度高,适应范围广,安全可靠。按照本专利技术提供的技术方案,所述基于环形磁场驱动的餐桌电动转盘,包括底座及位于所述底座上的转盘本体;所述转盘本体与底座之间设有轨道环,所述轨道环位于底座上,且轨道环上设有若干均匀分布的钢珠,转盘本体通过钢珠设置于底座的上方,并能通过钢珠在底座上转动;所述轨道环的内侧设置若干环形凹铁芯,所述环形凹铁芯位于底座上,环形凹铁芯内嵌置有三相线圈绕组,所述三相线圈绕组与旋转控制器电连接,所述旋转控制器与开关电连接;环形 凹铁芯的上方设有适量的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于环形磁场驱动的餐桌电动转盘,包括底座(2)及位于所述底座(2)上的转盘本体(1);其特征是:所述转盘本体(1)与底座(2)之间设有轨道环(3),所述轨道环(3)位于底座(2)上,且轨道环(3)上设有若干均匀分布的钢珠(4),转盘本体(1)通过钢珠(4)设置于底座(2)的上方,并能通过钢珠(4)在底座(2)上转动;所述轨道环(3)的内侧设置若干环形凹铁芯(5),所述环形凹铁芯(5)位于底座(2)上,环形凹铁芯(5)内嵌置有三相线圈绕组(6),所述三相线圈绕组(6)与旋转控制器(8)电连接,所述旋转控制器(8)与开关(9)电连接;环形凹铁芯(5)的上方设有N极、S极相间的凸极式永磁体(7)...

【技术特征摘要】
1.一种基于环形磁场驱动的餐桌电动转盘,包括底座(2)及位于所述底座(2)上的转盘本体(I);其特征是:所述转盘本体(I)与底座(2 )之间设有轨道环(3 ),所述轨道环(3 )位于底座(2)上,且轨道环(3)上设有若干均匀分布的钢珠(4),转盘本体(I)通过钢珠(4)设置于底座(2)的上方,并能通过钢珠(4)在底座(2)上转动;所述轨道环(3)的内侧设置若干环形凹铁芯(5),所述环形凹铁芯(5)位于底座(2)上,环形凹铁芯(5)内嵌置有三相线圈绕组(6),所述三相线圈绕组(6)与旋转控制器(8)电连接,所述旋转控制器(8)与开关(9)电连接;环形凹铁芯(5)的上方设有N极、S极相间的凸极式永磁体(7),所述永磁体(7)固定安装于转盘本体(I)的下表面;旋转控制器(8)根据开关(9)输入的开关信号控制三相线圈绕组(6)的导通,以使得三相线圈绕组(6)与永磁体(7)配合产生的作用力推动转盘本体(I)在底座(2 )上转动。2.根据权利要求1所述的基于环形磁场驱动的餐桌电动转盘,其特征是:所述三相线圈绕组(6)采用Y形连接。3.根据权利要求1所述的基于环形磁场驱动的餐桌电动转盘,其特征是:所述旋转控制器(8)包括与三相线圈绕组(6)连接的主电路(13),所述主电路(13)与主驱动电路(12)电连接,所述主驱动电路(12 )与处理控制电路(11)的输出端连接,所述处理控制电路(11)与开关驱动电路(10)的输出端连接。4.根据权利要求3所述的基于环形磁场驱动的餐桌电动转盘,其特征是:所述主电路(13)包括整流电路及全桥逆变电路,所述整流电路包括第七二极管(D7),所述第七二极管(D7)的阳极端与第十二极管(DlO)的阴极端连接,第七二极管(D7)的阴极端与第八二极管(D8)的阴极端、第九二极管(D9)的阴极端以及第一电感(LI)的第一端连接,第十二极管(DlO)的阳极端与第十一二极 管(Dll)的阳极端及第十二二极管(D12)的阳极端连接,第十一二极管(Dll)的阴极端与第八二极管(D8)的阳极端连接,第十二二极管(D12)的阴极端与第九二极管(D9)的阳极端连接;第一电感(LI)的第二端与第一电容(Cl)的一端及全桥逆变电路中第一 MOS管(VTl)的漏极端连接,第一电容(Cl)的另一端与第十二二极管(D12)的阳极端及全桥逆变电路中的第四MOS管(VT4)的源极端连接; 第四MOS管(VT4)的漏极端与第一 MOS管(VTl)的源极端连接,第四MOS管(VT4)的源极端与第六MOS管(VT6)的源极端及第二 MOS管(VT2)的源极端连接,第三MOS管(VT3)的漏极端与第一 MOS管(VTl)的漏极端及第...

【专利技术属性】
技术研发人员:惠晶谢林利
申请(专利权)人:江南大学
类型:发明
国别省市:

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