本发明专利技术公开一种透明导电薄膜，其包含银-锡化三银-氧化锡的至少一叠层、或银-锡化四银-氧化锡的至少一叠层。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种透明导电薄膜。
技术介绍
举凡现有半导体光电装置，例如显示装置、触控装置、发光装置或光伏电池，其皆具有一导电基板以协助电子的传递。其中，导电基板包含一透光导电薄膜以及一基板，透光导电薄膜设置于基板上。透光导电薄膜又称为透光导电氧化物(TCO)，这是因为现有的透光导电薄膜的材料主要为金属氧化物，常用的材料有IT0、In203、Sn02、Zn0、Cd0、AZ0、及IZO坐寸ο然而，现有的透光导电薄膜虽然可达到透光目的，但其电阻值却太高，可达到10 100 Ω/sq，这也造成信号传递速度以及反应速度下降，因而使产品效能降低。故，现在业界极力发展具有低电阻值的材料来制造透光导电薄膜。
技术实现思路
有鉴于上述课题，本专利技术的目的在于提供一种能够降低电阻值的透明导电薄膜。为达上述目的，依据本专利技术的一种透明导电薄膜，其包含银-锡化三银-氧化锡的至少一叠层、或银-锡化四银-氧化锡的至少一叠层。在一实施例中，银层的厚度介于2nm至15nm之间。在一实施例中，锡化三银层或该锡化四银层的厚度介于Inm至3nm之间。在一实施例中，透明导电薄膜可滤除红外光或紫外光。在一实施例中，透明导电薄膜可应用于一触控面板、一显示面板或一光伏电池。在一实施例中，透明导电薄膜还包含一结构层，其邻设于该银层或该氧化锡层。在一实施例中，结构层为单一层或一叠层。在一实施例中，结构层包含金属、金属氧化物、光学材料、陶瓷、或其组合。在一实施例中，至少一叠层与结构层相互叠设。在一实施例中，当结构层为复数时，至少一叠层设置于该等结构层之间。承上所述，通过不断的努力与研究，将透明导电薄膜的材料改成锡化三银或锡化四银，即可大幅增加透明导电薄膜的导电率并使电阻值下降。本专利技术的透明导电薄膜包含银-锡化三银-氧化锡的至少一叠层、或银-锡化四银-氧化锡的至少一叠层，使得电阻值可例如降低至I Ω/平方，进而大幅提升信号传递与反应速度。此外，含有锡化三银或锡化四银的透光导电薄膜也可达到滤除红外光(IR-Cut)及/或滤除紫外光(UV-Cut)的功效。通过滤除红外光或紫外光，使得应用本专利技术的半导体光电装置(例如光伏电池、触控面板或显示面板)能够避免红外光或紫外光照射所造成的黄化。附图说明图1A至图1E为本专利技术较佳实施例的一种透明导电薄膜的示意图2为本专利技术较佳实施例的一种透明导电薄膜设置于一基板的示意图；图3A及图3B为形成介金属的示意图；图4及图5为本专利技术较佳实施例的一种透明导电薄膜应用于光伏电池的示意图；以及图6为本专利技术较佳实施例的一种透明导电薄膜应用于一显示面板的示意图。主要元件符号说明11、311、321:基板12、12a 12d:透明导电薄膜121:结构层122:银123:锡化三银124:氧化锡2:光伏电池201:第一导电基板202:第二导电基板203:染料层204:催化层205:第一导电层206:第二导电层207:框胶208:电解质209:第一导线210:第二导线211:第一导电通孔212:第二导电通孔213:连结胶3:液晶显示面板31:薄膜晶体管基板32:彩色滤光基板33:液晶层312:薄膜晶体管阵列322:共同电极A:银B:锡C1、C2:集电部D:间距P:染料部S:绝缘保护层具体实施例方式以下将参照相关附图，说明依本专利技术较佳实施例的一种导电基板以及光伏电池，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。图1A为本专利技术较佳实施例的一种透明导电薄膜12的示意图。透明导电薄膜12包含锡化三银(Ag3Sn)或锡化四银(Ag4Sn)。透明导电薄膜12可例如包含银-锡化三银-氧化锡的至少一叠层(stack layers)、或银-锡化四银-氧化锡的至少一叠层；于此以包含银层122-锡化三银层123-氧化锡层124的一叠层为例。当然，在锡化三银层123中或许也会含有锡化四银。其中，银层123的厚度可例如介于2nm至15nm之间；锡化三银层123或锡化四银层的厚度可例如介于Inm至3nm之间；氧化锡层124可例如为SnO2或SnO。图1B为本专利技术较佳实施例的另一种透明导电薄膜12a的示意图。其中，透明导电薄膜12a还包含一结构层121，其邻设于银层122。结构层121可为单一层或一复合层。结构层121可例如包含金属、金属氧化物、光学材料、陶瓷、或其组合。其中，金属例如银或铜；金属氧化物例如氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO或SnO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌镓(GZO)、氧化锡锑(ATO);光学材料如二氧化钛(TiO2);陶瓷例如二氧化硅(SiO2)。上述仅为举例，并非用以限制本专利技术。图1C为本专利技术较佳实施例的另一种透明导电薄膜12b的示意图。其中，透明导电薄膜12b的一结构层121邻设于氧化锡层123。图1D为本专利技术较佳实施例的另一种透明导电薄膜12c的示意图。其中，透明导电薄膜12b包含银层122-锡化三银层123-氧化锡层124的相同的二叠层，且结构层121位于该等叠层之间。图1E为本专利技术较佳实施例的另一种透明导电薄膜12d的示意图。其中，透明导电薄膜12b包含银层122-锡化三银层123-氧化锡层124的一叠层以及二结构层121，且叠层设置于二结构层121之间。该等结构层121可相同或不相同。图1A至图1E仅为举例说明本实施例的透明导电薄膜，其可包含更多种变化态样，例如可有更多叠层、或改变结构层121的位置等等。图2为本专利技术较佳实施例的一种透明导电薄膜12设置于一基板11的示意图；于此仅为举例，上述透明导电薄膜12a 12d的态样皆可设置于基板11上。其中，基板11的材质可例如包含玻璃、陶瓷、金属或塑胶，塑胶例如为聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate, PET),而基板11可透光或不透光。透明导电薄膜12经过热制作工艺才能形成介金属(锡化三银或锡化四银)(Intermetal)。首先，在基板11上依序形成银_锡-氧化锡的叠层，然后进行加热制作工艺。图3A及图3B为热扩散以形成介金属的示意图，其中A代表银、B代表锡，但请注意，图3A的银层与锡层为左右排列仅为清楚说明介金属形成过程，而非用以限制本专利技术。如图3A至图3B所示,在热制作工艺中，银A与锡B会进行热扩散(thermal diffusion)而形成介金属(锡化三银Ag3Sn或锡化四银Ag4Sn)，也就是A与B交错设置之处。在制作工艺中，若银氧化会严重影响透明导电薄膜12的电性。然而，锡受到高温影响后很容易与银相互结合成介金属Ag3Sn或Ag4Sn,由于Ag3Sn或Ag4Sn相当稳定，因此也能阻挡银因受热而氧化，并形成Ag-Ag3Sn-SnO或Ag-Ag4Sn-SnO的叠层。据此，透明导电薄膜12的电阻值可降低至I Ω/平方，而大幅提升信号传递与反应速度。此外，含有透明导电薄膜12也可达到滤除红外光(IR-Cut)或滤除紫外光(UV-Cut)的功效。另外，透明导电薄膜12可依产品设计的需求而为一平坦层或一图案层。例如，当作为液晶面板中的滤光基板的共同电极层时，其为平坦层；而当作为触控装置中的触控电极时，则可形成为图案层。本实施例不特别限制透明导电薄膜12 12d的应用范围，其可例如应用于半导体光电装置，例如一显不面板、一触控面板、一光伏电池或一发光装置。以下以光本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种透明导电薄膜，其包含银?锡化三银?氧化锡的至少一叠层、或银?锡化四银?氧化锡的至少一叠层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓建东，徐伟伦，
申请(专利权)人：造能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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