一种3dB电桥制造技术

本实用新型专利技术涉及3dB电桥技术领域，具体涉及一种新型3dB电桥。本实用新型专利技术包括有第一耦合线和第二耦合线，所述第一耦合线中间部位为折线形，并且将第一耦合线分成连接段和耦合段两部分，所述第二耦合线中间部位为折线形，并且将第二耦合线分成连接段和耦合段两部分；所述的第一耦合线和第二耦合线平行设置在壳体内，其中耦合段部分重叠，连接段部分不重叠。本实用新型专利技术实现频率宽度为800MHz-2700MHz，覆盖了LTE频段。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及3dB电桥
,具体涉及一种新型3dB电桥。
技术介绍
3dB电桥是一种将两种频率相同的信号进行耦合成一路信号输出的电器件；通信行业的新增标准LTE中，LTE标准要求的频段为2570MHz-2620MHz，目前市场上的3dB电桥中所采用的3dB电桥普遍频率宽度为800MHz-2500MHz，不能满足新增LTE标准要求的频段。另外，目前市场上的3dB电桥采用的耦合线形状不一，导致生产成本较高。
技术实现思路
本技术的目的在于克服以上所述的缺点，提供一种频带达800MHz-2700MHz、装配调试简单、制造成本低的3dB电桥。为实现上述目的，本技术的具体方案如下:一种3dB电桥，包括有第一耦合线和第二耦合线，所述第一耦合线中间部位为折线形，并且将第一耦合线分成连接段和耦合段两部分，所述第二耦合线中间部位为折线形，并且将第二耦合线分成连接段和耦合段两部分；所述的第一耦合线和第二耦合线平行设置在壳体内，其中耦合段部分重叠，连接段部分不重叠。其中，所述第一耦合线和第二耦合线形状相同，对称设置。其中，所述第一耦合线和第二耦合线上设有若干圆孔，第一耦合线和第二耦合线通过绝缘柱体分层固定。其中，每个绝缘柱体上均设有两道卡槽，并且每个绝缘柱体的两道卡槽距离相等。其中，所述耦合段的长度为35.1±0.5mm，宽度为3.9±0.5mm，连接段的长度为42±0.5mm,宽度为4.15±0.5mm ;所述第一稱合线和第二稱合线在垂直方向上间距为0.43±0.5mm ;所述第一稱合线和第二稱合线的厚度均为1.2±0.5mm。其中，所述第一耦合和第二耦合线的连接段中间处均设置有一根隔离杆，耦合段中间处均设置有两根长度不等的隔离杆。本技术的有益效果是:1、实现频率宽度为800MHZ-2700MHZ，覆盖了 LTE频段。2、由于两根耦合线的形状相同，可以只用一个模具制造，降低生产成本。3、由于采用了绝缘支柱，耦合线装备一致性得到了保证，提高了调试率。4、由于采用隔离杆设计，本技术的立而口隔尚度大于23dB。附图说明图1是本技术的结构示意图。图2是本技术的第一耦合线的结构示意图。图3是本技术的第二耦合线的结构示意图。图1至图3中的附图标记说明:I一第一耦合线；2—第二耦合线；3—绝缘柱体；4一隔离杆；5、6—连接段；7、8—耦合段。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细的说明，并不是把本技术的实施范围局限于此。如图1-3所不,本实施例的一种3dB电桥,包括有第一稱合线I和第二稱合线2,第一耦合线I和第二耦合线2上设有若干圆孔，第一耦合线I和第二耦合线2通过绝缘柱体3分层固定在一起；其中，每个绝缘柱体3上均设有两道卡槽，并且每个绝缘柱体3的卡槽距离相等，这样就保证了两条耦合线平行。第一耦合线I中间部位为折线形并且将第一耦合线I分成连接段5和耦合段7两部分，第二耦合线2中间部位也为折线形并且将第二耦合线2分成连接段6和耦合段8两部分；第一耦合线I和第二耦合线2对称设置，且第一耦合线I和第二耦合线2的折线方向相反。通过计算机仿真软件的仿真得出:该3dB电桥实现频率宽度为800MHz-2700MHz，覆盖了 LTE频段。其中，当耦合段7、8部分长度为35.1 ±0.5mm,宽度为3.9±0.5mm,连接线段部分长度为42±0.5mm,宽度为4.15±0.5mm ;第一耦合线119和第二耦合线220垂直间距为0.43±0.5mm ;第一耦合线119和第二耦合线220的厚度均为1.2±0.5mm的时候,该3dB电桥实现频率宽度最大,效果最好。由于奇模的电场在空气介质中的分布要比偶模的电场在空气介质中的分布多些，因而奇模的相速度大于偶模的相速度，耦合越紧，这两种速度相差越大，因此隔离度效果不好，经过计算机仿真软件的仿真，在本技术的第一耦合线I和第二耦合线2的连接段5、6中间处均设置有一根隔离杆4，而两条耦合线的耦合段7、8中间处也均设置有两根长度不等的隔离杆4 ;用计算机仿真软件仿真得出:设置隔离杆4使得该3dB电桥的端口隔离度大于 23dB。以上所述仅是本技术的一个较佳实施例，故凡依本技术专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，包含在本技术专利申请的保护范围内。权利要求1.一种3dB电桥,第一稱合线(I)和第二稱合线(2),其特征在于:所述第一稱合线(I)中间部位为折线形，并且将第一耦合线(I)分成连接段(5)和耦合段(7)两部分，所述第二耦合线(2)中间部位为折线形，并且将第二耦合线(2)分成连接段(6)和耦合段(8)两部分；所述的第一耦合线(I)和第二耦合线(2)平行设置在壳体内，其中耦合段(7、8)部分重叠，连接段(5、6)部分不重叠。2.根据权利要求1所述的一种3dB电桥，其特征在于:所述第一耦合线(I)和第二耦合线(2)形状相同，对称设置。3.根据权利要求2所述的一种3dB电桥，其特征在于:所述第一耦合线(I)和第二耦合线(2)上设有若干圆孔，第一耦合线(I)和第二耦合线(2)通过绝缘柱体(3)分层固定。4.根据权利要求3所述的一种3dB电桥，其特征在于:每个绝缘柱体(3)上均设有两道卡槽，并且每个绝缘柱体(3)的两道卡槽距离相等。5.根据权利要求2所述的一种3dB电桥，其特征在于:所述耦合段(7、8)的长度为35.1±0.5臟，宽度为 3.9±0.5mm,连接段(5、6)的长度为 42±0.5mm，宽度为 4.15±0.5mm ；所述第一耦合线(I)和第二耦合线(2)在垂直方向上间距为0.43±0.5mm ;所述第一耦合线(I)和第二耦合线(2)的厚度均为1.2±0.5mm。6.根据权利要求2所述的一种3dB电桥，其特征在于:所述第一耦合和第二耦合线(2)的连接段(5、6)中间处均设置有一根隔离杆(4)，耦合段(7、8)中间处均设置有两根长度不等的隔离杆(4)。专利摘要本技术涉及3dB电桥
，具体涉及一种新型3dB电桥。本技术包括有第一耦合线和第二耦合线，所述第一耦合线中间部位为折线形，并且将第一耦合线分成连接段和耦合段两部分，所述第二耦合线中间部位为折线形，并且将第二耦合线分成连接段和耦合段两部分；所述的第一耦合线和第二耦合线平行设置在壳体内，其中耦合段部分重叠，连接段部分不重叠。本技术实现频率宽度为800MHz-2700MHz，覆盖了LTE频段。文档编号H01P5/16GK203039074SQ20132000957公开日2013年7月3日 申请日期2013年1月9日 优先权日2013年1月9日专利技术者李月亮 申请人:东莞洲亮通讯科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种3dB电桥，第一耦合线（1）和第二耦合线（2），其特征在于：所述第一耦合线（1）中间部位为折线形，并且将第一耦合线（1）分成连接段（5）和耦合段（7）两部分，所述第二耦合线（2）中间部位为折线形，并且将第二耦合线（2）分成连接段（6）和耦合段（8）两部分；所述的第一耦合线（1）和第二耦合线（2）平行设置在壳体内，其中耦合段（7、8）部分重叠，连接段（5、6）部分不重叠。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李月亮，
申请(专利权)人：东莞洲亮通讯科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：