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一种温敏自清洁聚偏氟乙烯膜及其制备方法技术

技术编号:8878889 阅读:149 留言:0更新日期:2013-07-03 18:09
本发明专利技术公开了一种温敏自清洁聚偏氟乙烯膜及其制备方法,以聚偏氟乙烯、二氧化钛及N-异丙基丙烯酰胺为主要原料制得二氧化钛/N-异丙基丙烯酰胺纳米颗粒/聚偏氟乙烯共混膜。本发明专利技术工艺简单,易于操作,不需要昂贵的仪器,易于推广,制备的温敏自清洁聚偏氟乙烯膜具有良好的温度响应性能和自清洁性,在智能器件、水处理、生物化工等领域具有潜在的广泛应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料制备和聚合物改性领域,具体涉及。
技术介绍
聚偏氟乙烯(PVDF)是一种常用的高分子膜材料,具有良好的机械性能、热稳定性及化学稳定性等。但是疏水的本质使聚偏氟乙烯膜易被污染,膜污染严重限制了聚偏氟乙烯膜在许多方面的应用,比如:超滤、微滤等等。对膜操作环境进行优化,或对膜进行功能化改性,都是控制PVDF膜污染的有效途径。据证实膜共混响应性改性是一种简易可行的方法。无机有机复合材料在PVDF膜内部和表面功能化改性的应用越来越广泛,比如无机物二氧化钛,十分的亲水,但在膜的制备中易团聚,且在实际应用中颗粒在膜表面和膜孔中易脱离,大大降低膜的使用寿命。接枝聚合物单体到膜表面,膜孔中接枝的比较少,条件响应性不敏感,对膜通量的控制效果很差,抗生物污染性能低,限制了二氧化钛改性膜和响应性膜的实际应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的一些不足,提供,工艺简单,易于操作,不需要昂贵的仪器,易于推广,制备的温敏自清洁聚偏氟乙烯膜具有良好的温度响应性能和自清洁性,在智能器件、水处理、生物化工等领域具有潜在的广泛应用价值。为实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案: 一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温敏自清洁聚偏氟乙烯膜的制备方法,其特征在于:以聚偏氟乙烯、二氧化钛及N?异丙基丙烯酰胺为主要原料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张其清周青李建华邵喜胜闫邦峰
申请(专利权)人:福州大学
类型:发明
国别省市:

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