一种减小开关电源MOS管电压应力的RCD电路制造技术

技术编号:8877354 阅读:492 留言:0更新日期:2013-07-02 02:16
一种减小开关电源MOS管电压应力的RCD电路,电源输出接变压器T1初级线圈的一端,变压器T1的初级线圈并接由电阻R1、电容C1和二极管D2组成的RCD电路,其中电阻R1与电容C1串联后与二极管D2并联,二极管D2的阴极接电源输出,二极管D2的阳极接变压器T1初级线圈的另一端和MOS管U1的漏极,MOS管U1的栅极接入控制电路,MOS管U1的源极接地,变压器T1次级线圈的一端接功率二极管D1的阳极,功率二极管D1的阴极接控制电路实现输入与输出电压的检测,功率二极管的阴极同时接电容Cout的一端,电容Cout的另一端与变压器T1次级线圈的另一端均接地,本实用新型专利技术可有效降低二极管反向耐压,保证二极管可靠性。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及开关电源
,特别涉及一种减小开关电源MOS管电压应力的RCD电路
技术介绍
对于一般的开关电源典型电路而言,在二极管关闭和导通的瞬间,由于寄生电容的关系,会在二极管的两端产生高的电压尖峰,易造成二极管被击穿导致电路失效。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的不足,本技术的目的在于提供一种减小开关电源MOS管电压应力的RCD电路,,通过RCD组成吸收回路,减小二极管的电压应力。为了实现上述目的,本技术采用的技术方案是:一种减小开关电源MOS管电压应力的RCD电路,电源输出接变压器Tl初级线圈的一端,变压器Tl的初级线圈并接由电阻R1、电容Cl和二极管D2组成的RCD电路,其中电阻Ri与电容Cl串联后与二极管D2并联,二极管D2的阴极接电源输出,二极管D2的阳极接变压器Tl初级线圈的另一端和MOS管Ul的漏极,MOS管Ul的栅极接入控制电路,MOS管Ul的源极接地,变压器Tl次级线圈的一端接功率二极管Dl的阳极,功率二极管Dl的阴极接控制电路实现输入与输出电压的检测,功率二极管的阴极同时接电容Cout的一端,电容Cout的另一端与变压器Tl次级线圈的另一端均接地。对比原方案与本方案,原方案中,由于没有吸收回路的存在,Tl产生的高电压脉冲,只能依靠MOS管的寄生电容来吸收,其吸收能力有限,电压会很高,没有固定在2倍Vin的大小,MOS管很容易损坏。而本技术由于增吸收回路,会有效降低二极管的反向耐压,保证了二极管的可靠性。附图说明附图为本技术的结构示意图。具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术进行更详尽的说明。如图所示,本技术为一种减小开关电源MOS管电压应力的RCD电路,电源输出接变压器Tl初级线圈的一端,变压器Tl的初级线圈并接由电阻R1、电容Cl和二极管D2组成的RCD电路,其中电阻Rl与电容Cl串联后与二极管D2并联,二极管D2的阴极接电源输出,二极管D2的阳极接变压器Tl初级线圈的另一端和MOS管Ul的漏极,MOS管Ul的栅极接入控制电路,MOS管Ul的源极接地,变压器Tl次级线圈的一端接功率二极管Dl的阳极,功率二极管Dl的阴极接控制电路实现输入与输出电压的检测,功率二极管的阴极同时接电容Cout的一端,电容Cout的另一端与变压器Tl次级线圈的另一端均接地。本技术中的开关电源BUCK电源,由于MOS管Ul的开关作用,电感电流跟随着开关进行变换,在电感电流突然变换的瞬间,变压器Tl上会产生极高的电压脉冲,导致MOS管Ul在关断的瞬间承受的耐压很高,高电压产生的时候其电压会达到输入Vin的2倍以上,但其持续时间较短,RCD吸收回路的存在,使得脉冲产生时,RCD回路导通,将脉冲电压钳位在Vin的2倍左右,不至于损坏MOS管。另外本技术由于RCD将能力导入到输入端,从而部分提高了电源的效率。权利要求1.一种减小开关电源MOS管电压应力的RCD电路,其特征在于,电源输出接变压器Tl初级线圈的一端,变压器Tl的初级线圈并接由电阻R1、电容Cl和二极管D2组成的RCD电路,其中电阻Rl与电容Cl串联后与二极管D2并联,二极管D2的阴极接电源输出,二极管D2的阳极接变压器Tl初级线圈的另一端和MOS管Ul的漏极,MOS管Ul的栅极接入控制电路,MOS管Ul的源极接地,变压器Tl次级线圈的一端接功率二极管Dl的阳极,功率二极管Dl的阴极接控制电路实现输入与输出电压的检测,功率二极管的阴极同时接电容Cout的一端,电容Cout的另一端与变压器Tl次级线圈的另一端均接地。专利摘要一种减小开关电源MOS管电压应力的RCD电路,电源输出接变压器T1初级线圈的一端,变压器T1的初级线圈并接由电阻R1、电容C1和二极管D2组成的RCD电路,其中电阻R1与电容C1串联后与二极管D2并联,二极管D2的阴极接电源输出,二极管D2的阳极接变压器T1初级线圈的另一端和MOS管U1的漏极,MOS管U1的栅极接入控制电路,MOS管U1的源极接地,变压器T1次级线圈的一端接功率二极管D1的阳极,功率二极管D1的阴极接控制电路实现输入与输出电压的检测,功率二极管的阴极同时接电容Cout的一端,电容Cout的另一端与变压器T1次级线圈的另一端均接地,本技术可有效降低二极管反向耐压,保证二极管可靠性。文档编号H02M1/34GK203027129SQ20122063410公开日2013年6月26日 申请日期2012年11月26日 优先权日2012年11月26日专利技术者杨立斌 申请人:西安威正电子科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减小开关电源MOS管电压应力的RCD电路,其特征在于,电源输出接变压器T1初级线圈的一端,变压器T1的初级线圈并接由电阻R1、电容C1和二极管D2组成的RCD电路,其中电阻R1与电容C1串联后与二极管D2并联,二极管D2的阴极接电源输出,二极管D2的阳极接变压器T1初级线圈的另一端和MOS管U1的漏极,MOS管U1的栅极接入控制电路,MOS管U1的源极接地,变压器T1次级线圈的一端接功率二极管D1的阳极,功率二极管D1的阴极接控制电路实现输入与输出电压的检测,功率二极管的阴极同时接电容Cout的一端,电容Cout的另一端与变压器T1次级线圈的另一端均接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨立斌
申请(专利权)人:西安威正电子科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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