本实用新型专利技术公开了一种柔性显示装置，涉及显示领域，制作方法简单，且能实现柔性显示，另外，无需设置阀值电压补偿电路，无需外置驱动集成电路即可获得高品质的显示画面。所述柔性显示装置，包括：柔性膜片；设置在所述柔性膜片上的驱动电路和电激发光器件，其中，所述驱动电路中的薄膜晶体管的有源层由同一单晶硅膜片形成，所述薄膜晶体管包括位于所述柔性显示装置显示区域的第一薄膜晶体管；透明柔性盖板，封装在所述电激发光器件之上。与现有装置相比，亮度均一，结构简单，分辨率更高。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及显示领域，尤其涉及一种柔性显示装置。
技术介绍
柔性显示器，指可变型可弯曲的显示装置，一般使用有源有机发光二极管(ActiveMatrix Organic Light Emitting Diode, AMOLED)或高分子发光二极管(PolymerLight-emitting Diode,PLED)技术,具有低功耗,直接可视,可变型可弯曲，且轻薄、耐冲击不易损坏，可以安装在弯曲的表面，制作成可穿戴的显示器等优点，预计今后几年将成为显示领域的主流。AMOLED显示器通常是由低温多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)驱动背板和电激发光(Electro-Luminescence，EL)层组成自发光组件。传统的LTPS型AMOLED显示器的结构如图1所示，其制备过程如下:在玻璃基板101上沉积一层缓冲层102，在缓冲层102上面沉积非晶硅(a-Si)层，然后进行高温脱氢制程去除a-Si层中的氢(H)含量，再通过低温多晶硅工艺将a-Si层转化为多晶硅(Poly-Si)层，用掩膜版进行曝光，再经显影、刻蚀工艺制作多晶硅图案层103 ;在Poly-Si图案层103上方沉积栅极绝缘层106，在栅极绝缘层106上方沉积 栅极金属层，用数次掩膜工艺进行曝光，再经显影、刻蚀工艺，及掺杂工艺制作栅电极107，同时在Poly-Si图案层103形成薄膜晶体管电路的轻掺杂漏极(LDD)部分104和重掺杂部分105 (对应薄膜晶体管的源/漏极)；然后依次制作层间绝缘层108，进行掺杂后的活化和注氢工艺，制作源/漏电极109、有机层110和阳极111 ;再制作有机发光层112及阴极，最后覆盖上保护盖层113。在上述过程中，专利技术人发现现有技术至少存在如下问题:低温多晶娃LTPS工艺是通过准分子激光退火(Excimer Laser Anneal,ELA)技术将非晶硅转化为多晶 硅的技术，其工艺的最高温度达到了 600°C以上，且ELA退火生成的多晶硅颗粒均一性较差，因此使用LTPS技术制作的AMOLED驱动背板存在以下缺点:制作温度高，对基底的要求较高，不能使用塑料基底，难以实现柔性显示；另外，ELA技术制作的多晶硅颗粒均一性较差，因此薄膜晶体管阀值电压均一性较差，导致AMOLED画面亮度显示不均一，有源驱动电路需要包含阀值电压补偿电路进行补偿。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种柔性显示装置，制作方法简单，且能实现柔性显示，另外，无需设置阀值电压补偿电路即可获得高品质的显示画面。为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案:本技术提供一种柔性显示装置，包括:柔性膜片；设置在所述柔性膜片上的驱动电路和电激发光器件，其中，所述驱动电路中的薄膜晶体管的有源层由同一单晶硅膜片形成，所述薄膜晶体管包括位于所述柔性显示装置显示区域的第一薄膜晶体管；透明柔性盖板，封装在所述电激发光器件之上。可选地，所述单晶硅膜片由单晶硅晶圆片根据需要制作的显示屏的大小切割而成。优选地，所述驱动电路还包括:用于产生扫描信号的栅极驱动电路和用于产生数据信号的源极驱动电路，均设置在所述柔性显示装置边框的对应区域；所述驱动电路中的薄膜晶体管还包括:所述栅极驱动电路中的第二薄膜晶体管，以及所述源极驱动电路中的第三薄膜晶体管。可选地，所述薄膜晶体管，包括:单晶硅膜片形成的有源层；栅极绝缘层，设置在所述有源层上；栅电极，设置在所述栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在所述栅电极上；源电极和漏电极，设置在所述层间绝缘层上，经所述层间绝缘层及所述栅极绝缘层上的过孔与所述有源层相连接。进一步地，柔性显示装置还包括:设置有过孔的绝缘隔垫层，覆盖在所述薄膜晶体管源、漏电极的上方，且位于所述电激发光器件的下方。可选地，所述电激发光器件，包括:阳极层，设置在所述绝缘隔垫层的上方，并通过所述绝缘隔垫层上的过孔与所述第一薄膜晶体管的漏电极相连；电激发光层，形成于所述阳极层上；阴极，形成于所述电激发光层上。可选地，所述电激发光器件为有机发光二极管。可选地，所述单晶硅膜片形成的有源层，包括:沟道区域，设置于有源层上与所述栅电极对应的区域；轻掺杂(LDD)区域，设置于所述沟道区域的两侧；重掺杂区域，设置于所述轻掺杂区域的外侧且远离沟道区域。本技术实施例提供的柔性显示装置，先将单晶硅膜片粘结在基板(例如玻璃)上，进行形成驱动电路和电激发光器件的制程；然后将基板进行翻转，去除底层的基板以露出所述单晶硅膜片，再去除所述单晶硅膜片上除驱动电路以外区域的单晶硅，最后用柔性膜片进行封装。相比现有的ELA型AMOLED多晶硅显示装置，本技术中的柔性显示装置及其制作方法，具有如下优点:1、通过先在基板上形成驱动电路和电激发光器件，待完成上盖板封装后再去除所述基板改为封装柔性膜片的方式，本技术实施例提供的柔性显示装置实现了柔性可弯曲显示。2、显示装置中位于显示区域的各薄膜晶体管(即用于驱动的TFT)的有源层直接使用同一单晶硅膜片形成，所以最终制成的显示装置的各个像素(例如0LED)驱动电流稳定，不存在不均一的缺陷，因此不需要阀值电压补偿电路，即可获得较高的画面显示品质。另外，相对现有多晶硅形成的发光显示装置，因单晶硅的电子迁移率更高，薄膜晶体管沟道的宽长比可以更小，因此作为驱动开关的薄膜晶体管可以制作的非常小，从而使显示装置的分辨率得以提高。附图说明图1为现有AMOLED显示器的结构示意图；图2为本技术实施例一中柔性显示装置的剖面结构示意图；图3为本技术实施例二中流程图一；图4为本技术实施例二中单晶硅膜片粘结在基板上的正视图；图5为图4沿A-A方向的剖面结构示意图；图6为形成栅绝缘层后A-A方向的剖面结构示意图；图7形成栅电极和形成薄膜晶体管的有源层后A-A方向的剖面结构示意图；图8为完成透明柔性盖板封装后A-A方向的剖面结构示意图；图9为去除基板后A-A方向的剖面结构示意图；图10为去除单晶硅膜片上薄膜晶体管之外区域的单晶硅后A-A方向的剖面结构示意图；图11为封装柔性膜片后沿A-A方向的剖面结构示意图；图12为一个柔性显示装置的平面示意图；图13为本技术实施例二中流程图。附图标记说明101-玻璃基板，102-缓冲层，103-多晶硅图案层，106-栅极绝缘层，107-栅电极，104-轻掺杂漏极(LDD)部分，105-重掺杂部分，108-层间绝缘层，109-源/漏电极，110-有机层，111-阳极，112-电激发光层及阴极，113-保护盖层；200-单晶硅膜片，201-基板，202-粘结层，203-沟道区域，204-轻掺杂漏极(LDD)部分区域，205-重掺杂部分区域，206-栅极绝缘层，207-栅电极，208-层间绝缘层，209-源/漏电极，210-隔垫层，211-阳极，212-电激发光层，213-透明柔性盖板，214-柔性膜片，215-有源层，216-像素显示区域，217栅极驱动电路，218-源极驱动电路。具体实施方式本技术实施例提供一种柔性显示装置，可实现柔性显示，同时不需要阀值电压补偿电路即可获得亮度较均一的显示画面，结构简单，显示品质高。以下结合附图对本技术实施例进行详细描述。此处所描本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种柔性显示装置，其特征在于，包括：?柔性膜片；?设置在所述柔性膜片上的驱动电路和电激发光器件，其中，所述驱动电路中的薄膜晶体管的有源层由同一单晶硅膜片形成，所述薄膜晶体管包括位于所述柔性显示装置显示区域的第一薄膜晶体管；?透明柔性盖板，封装在所述电激发光器件之上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨玉清，李炳天，朴承翊，曹成熙，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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