【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于植物组织培养
,具体是一种通过植物组织培养技术繁殖大樱桃砧木G-7的方法。
技术介绍
大樱桃砧木G-7 (Gisela)亲本为酸樱桃X灰毛叶樱桃。该种砧木树体开张,大小仅为马扎德砧木的50%,属矮化砧。用其作甜樱桃砧木花量大,早实丰产性能高,抗寒、抗涝、抗根癌病、洋李矮缩病毒,固定性能良好,适用范围广,用其嫁接的甜樱桃结果早,产量高,是甜樱桃进行矮化密植、保护地栽培的理想砧木材料,在国内外具有广泛市场潜力。植物组织培养方法是利用植物细胞的全能性,即组成植物的每一个细胞都具有发育成为一个完整植株的潜在能力,采取植物上的单个细胞、细胞团、分生组织或器官的一部分,通过人工配置不同营养成分和激素的培养基来培养并调控其发育,使这些细胞、组织等形成成千上万个小植株并且保持了母本植株的全部的优良性状,采用植物组织培养方法可以在短期内快速繁殖多种植物,不仅繁殖速率极高,且因为是无性繁殖,可以保持原繁殖母株的优良性状,近年来在生产上应用越来越广,这种方法可以在短时间内获得大量的组培苗,并能在人工控制条件下一年四季生产,因而可以实现种苗繁殖的工厂化生产,在较小的面积内进行大规模生产,无需占用大量土地,可以有效的降低生产成本,实现规模化生产。在现有技术中,大樱桃砧木G-7组培苗扩繁系数低,生根困难,移栽成活率低使其一直无法实现大规模工厂化生产。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种大樱桃砧木G-7快速繁殖方法。本专利技术的技术方案是:一种大樱桃砧木G-7快速繁殖方法,包括以下步骤:(I)无菌系建立切取大樱桃砧木G-7新梢顶端3 4节2 3cm长 ...
【技术保护点】
一种大樱桃砧木G?7快速繁殖方法,其特征在于,它包括以下步骤:(1)无菌系建立切取大樱桃砧木G?7新梢顶端3~4节2~3cm长的茎段,依次用洗洁精清洗、酒精和升汞溶液消毒后,切成1.5~2cm长单芽茎段,作为外植体接入装有启动分化培养基的培养瓶,该启动分化培养基为在1升MS基本培养基中加入下述的原料及其配比制成:白砂糖10~30g?琼脂粉4~7g?6?苄氨基嘌呤0.1~0.6mg?吲哚乙酸0.1~0.3mg,将所述培养瓶置于培养室培养,培养条件为:温度20~26℃,湿度55~75%,光照强度2000~2500Lx,光照时间14小时/天;(2)扩繁继代培养选取步骤(1)中2~4cm长组培苗为材料,切成1.3~1.7cm长的带芽茎段接入装有扩繁继代培养基的培养瓶中培养,该扩繁继代培养基为在1升MS基本培养基中加入下述的原料及其配比制成:白砂糖20~30g?琼脂粉4~7g?6?苄氨基嘌呤0.2~1.0mg??吲哚乙酸0.1~0.5mg??吲哚丁酸0.1~0.5mg,培养条件为:温度22~28℃,湿度55~75%,光照强度1800~2800Lx,光照时间16小时/天;(3)生根培养选取步骤(2 ...
【技术特征摘要】
1.一种大樱桃砧木G-7快速繁殖方法,其特征在于,它包括以下步骤:(1)无菌系建立切取大樱桃砧木G-7新梢顶端3 4节2 3cm长的茎段,依次用洗洁精清洗、酒精和升汞溶液消毒后,切成1.5 2cm长单芽茎段,作为外植体接入装有启动分化培养基的培养瓶,该启动分化培养基为在I升MS基本培养基中加入下述的原料及其配比制成:白砂糖10 30g琼脂粉4 7g 6-苄氨基嘌呤0.1 0.6mg吲哚乙酸0.1 0.3mg,将所述培养瓶置于培养室培养,培养条件为:温度20 26°C,湿度55 75%,光照强度2000 2500Lx,光照时间14小时/天;(2)扩繁继代培养选取步骤(I)中2 4cm长组培苗为材料,切成1.3 1.7cm长的带芽茎段接入装有扩繁继代培养基的培养瓶中培养,该扩繁继代培养基为在I升MS基本培养基中加入下述的原料及其配比制成:白砂糖20 30g琼脂粉4 7g6-节氨基嘌呤0.2 1.0mg卩引哚乙酸0.1 0.5mg卩引哚丁酸0.1 0.5mg,培养条件为:温度22 28°C,湿度55 75%,光照强度1800 2800Lx,光照时间16小时/天;(3)生根培养选取步骤(2)中2 6cm长组培苗为材料,切成长1.6 2.0cm带顶芽或侧芽茎段接入装有生根培养基的培养瓶...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨俊霞,王花,马建芳,李帼英,杨映红,王艳芳,郭志刚,赵新红,杨瑞斌,周代琴,李海青,
申请(专利权)人:天水市果树研究所,
类型:发明
国别省市:
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