同轴谐振器及利用其的电介质滤波器、无线通信模块及无线通信设备制造技术

本发明专利技术提供第1谐振模式下的Q值大且第1谐振模式的谐振频率与第2谐振模式的谐振频率之差大的同轴谐振器、以及利用其的电介质滤波器、无线通信模块以及无线通信设备。所述同轴谐振器具备：第1外导体(21)，其与基准电位连接；电介质块(30)，其具有从第1侧面(30c)起延伸至与第1侧面(30c)对置的第2侧面(30d)的贯通孔(31)，且被配置为第1主面(30a)接触于第1外导体(21)上；内导体(41)，其配置于贯通孔(31)的内面；以及第2外导体(22)，其是具有长方体的一面开口了的开口部的箱状的导体，具有可与电介质块(30)的第2主面(30b)、第3侧面(30e)以及第4侧面(30f)空出间隔进行容纳的内尺寸，开口部被配置为朝向第1外导体(21)侧，且第2外导体(22)与基准电位连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及同轴谐振器以及利用其的电介质滤波器、无线通信模块以及无线通信设备。
技术介绍
作为以特定的频率进行谐振的谐振器，公知有由配置在形成于电介质块的贯通孔的内面的内导体、以及配置在电介质块的外面的外导体构成的同轴谐振器(例如，参照专利文献I。)。先行技术文献专利文献专利文献1:日本特开平1-227501号公报专利技术要解决的课题然而，在专利文献I提出的现有的同轴谐振器中，存在难以同时达成第I谐振模式下的Q值的提高、以及增大第I谐振模式与第2谐振模式的谐振频率之差这样的问题。此外，第I谐振模式是指以大量存在的同轴谐振器的谐振模式当中谐振频率最低的谐振模式，第2谐振模式是指谐振频率第2低的谐振模式。由于一般是利用同轴谐振器的第I谐振模式，因此第I谐振模式下的Q值的提高表示同轴谐振器的电气特性的提高。另外，期望呈杂散的第2谐振模式存在于远离第I谐振模式的频率。
技术实现思路
本专利技术鉴于这样的现有技术中的问题点而提出，其目的在于，提供第I谐振模式下的Q值大、且第I谐振模式的谐振频率与第2谐振模式的谐振频率之差大的同轴谐振器以及利用其的电介质滤波器、无线通信模块以及无线通信设备。用于解决课题的手段本专利技术的同轴谐振器的特征在于，具备:第I外导体，其与基准电位连接；电介质块，其是长方体状的电介质，具有从第I侧面起延伸至与该第I侧面对置的第2侧面的贯通孔，且被配置为第I主面接触于所述第I外导体上；内导体，其配置于所述贯通孔的内面；以及第2外导体，其是具有长方体的一面开口 了的开口部的箱状的导体，具有能与所述电介质块的第2主面、第3侧面以及第4侧面空出间隔来容纳所述电介质块的内尺寸，所述开口部被配置为朝向所述第I外导体侧，且所述第2外导体与基准电位连接。另外，本专利技术的电介质滤波器的特征在于，具备:从所述第3侧面起朝着所述第4侧面使多个所述内导体空出间隔地配置成列状的、上述构成的同轴谐振器；以及与作为列的端部的第3侧面侧内导体以及第4侧面侧内导体以电或电磁方式进行连接的端子电极。另外，本专利技术的无线通信模块的特征在于，具备:包含上述构成的电介质滤波器在内的RF部、以及与该RF部连接的基带部。另外，本专利技术的无线通信设备的特征在于，具备:上述构成的无线通信模块、以及与该无线通信模块的所述RF部连接的天线。专利技术效果根据本专利技术的同轴谐振器，能得到第I谐振模式下的Q值大、且第I谐振模式的谐振频率与第2谐振模式的谐振频率之差大的同轴谐振器。另外，根据本专利技术的电介质滤波器，使用第I谐振模式下的Q值大、且第I谐振模式的谐振频率与第2谐振模式的谐振频率之差大的上述构成的同轴谐振器来构成了带通滤波器，因此呈低损耗，且在通过频带附近无杂散，故能成为频率选择性卓越的电介质滤波器。进而，根据本专利技术的无线通信模块以及无线通信设备，使用低损耗且频率选择性卓越的上述构成的电介质滤波器来进行通信信号的滤波，因此能降低通信信号的衰减以及噪声，故能成为通信质量或可靠性高的无线通信模块以及无线通信设备。附图说明图1是示意地表示本实施方式的第I例的同轴谐振器的横截面图。图2是图1所示的同轴谐振器的示意性的纵截面图。图3是示意地表示本实施方式的第2例的电介质滤波器的横截面图。图4是图3所示的电介质滤波器的示意性的纵截面图。图5是示意地表示本实施方式的第3例的电介质滤波器的横截面图。图6是示意地表示本实施方式的第4例的无线通信模块以及无线通信设备的框图。图7是表示本实施方式的第2例的电介质滤波器的电气特性的仿真结果的图表。具体实施例方式以下，参照附图来详细说明本实施方式的同轴谐振器。(实施方式的第I例)图1是示意地表示本实施方式的第I例的同轴谐振器的横截面图。图2是图1所示的同轴谐振器的示意性的纵截面图。本例的同轴谐振器如图1、图2所示，具备:第I外导体21、第2外导体22、电介质块30、以及内导体41，且被配置于板状的电介质基板11的主面上。第I外导体21是配置于电介质基板11的主面上的片状的导体，与基准电位(接地电位)连接。电介质块30是长方体状的电介质，具有从第I侧面30c起延伸至与第I侧面30c对置的第2侧面30d的贯通孔31，且被配置为第I主面30a接触于第I外导体21上。此夕卜，长方体状是指，相对于长方体是由长方形的六面体构成的情况，还包括例如在某一面的一部分具有突起或凹陷等的形状的情况。而且，内导体41被配置于贯通孔31的内面。 第2外导体22是具有长方体的一面开口 了的开口部的箱状的导体，具有能与电介质块30的第2主面30b、第3以及第4侧面30e、30f空出间隔，容纳电介质块30的内尺寸。而且，通过将开口部朝着第I外导体21侧地进行配置，从而与第I外导体21连接，且连接于基准电位(接地电位)。在此，第I外导体21以及第2外导体22被配置为包围电介质块30，且作为同轴谐振器的外导体发挥功能。另外，尽管在图2中，示出了关于第I以及第2侧面30c、30d也与第2外导体22具有间隔的例子，但在将内导体41的一端与基准电位连接的情况下，即使第2外导体22与将内导体41连接于基准电位的第I或第2侧面30c、30d接触也没有关系。此外，在电介质块30与第2外导体22之间以空气填充。根据具备这样的构成的本例的同轴谐振器，在作为同轴谐振器的外导体的一部分而发挥功能的第2外导体22、与电介质块30的第2主面30b、第3以及第4侧面30e、30f之间具有间隔，因此在其间由介电常数比电介质块30更低的低介电常数部形成。故而，能减小作为外导体的一部分而发挥功能的第2外导体22与内导体41之间的有效的介电常数，由此，较之于第I谐振模式的谐振频率相等、且在第2外导体22与电介质块30的第2主面30b、第3以及第4侧面30e，30f之间无间隔地被第2外导体22覆盖的同轴谐振器，不仅能增大第I谐振模式下的Q值，还能增大第I谐振模式的谐振频率与第2谐振模式的谐振频率之差。另外，根据本例的同轴谐振器，电介质块30的第I主面30a与第I外导体21接触，因此能实现构造简单且制作容易的同轴谐振器。进而，根据本例的同轴谐振器，内导体41优选被配置为:其中心较之于第I主面30a与第2主面30b间的距离的中心，位于第2主面30b侧。S卩，内导体41被配置于离第2主面30b近的一侧，因此较之于在第I主面30a与第2主面30b之间，在中央或离第I主面30a近的一侧配置内导体41的情况，能增大内导体41与第I外导体21的间隔，因此不仅能进一步增大第I谐振模式下的Q值，还能进一步增大第I谐振模式的谐振频率与第2谐振模式的谐振频率之差。此外，关于电介质块30的第2主面30b、第3以及第4侧面30e、30f与第2外导体22的间隔，为了使电气特性得以提高而大些好，但变大会造成同轴谐振器大型化，因此优选根据需要的电气特性和所容许的同轴谐振器的外形寸法来适当设定。(实施方式的第2例)图3是示意地表示本实施方式的第2例的电介质滤波器的横截面图。图4是图3所示的电介质滤波器的示意性的纵截面图。此外，在本例中，对与上述的实施方式的例子不同的部分进行说明，并对相同的构成要素赋予相同的符号，并省略重复的说明。本例的电介质滤波器如图3所示，从电介质块30的第3侧面30e起朝着第4侧面30f使内导体41a 41f空出间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.29 JP 2010-2190721.一种同轴谐振器，其特征在于，具备: 第I外导体，其与基准电位连接； 电介质块，其是长方体状的电介质，具有从第I侧面起延伸至与该第I侧面对置的第2侧面的贯通孔，且被配置为第I主面接触于所述第I外导体上； 内导体，其配置于所述贯通孔的内面；和 第2外导体，其是具有长方体的一面开口 了的开口部的箱状的导体，具有能与所述电介质块的第2主面、第3侧面以及第4侧面空出间隔来容纳所述电介质块的内尺寸，所述开口部被配置为朝向所述第I外导体侧，且所述第2外导体与基准电位连接。2.根据权利要求1所述的同轴谐振器，其特征在于， 所述内导体被配置为:其中心较之于所述第I主面与所述第2主面间的距离的中心，位于所述第2主面侧。3.—种电介质滤波器,其特征在于,具备: 权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉川博道，中俣克朗，堀内雅史，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：
国别省市：